MOS管(guan)KIA2803A替代FDD8870 160A/30V 现货供应(ying) 原装正品-KIA MOS管(guan)
信(xin)息来(lai)源：本站(zhan) 日(ri)期：2019-07-29
KIA2803A可(ke)以(yi)替代(dai)FDD8870，KIA2803A MOS管是(shi)KIA半导(dao)体(ti)品(pin)牌，如您(nin)有需要或(huo)是(shi)想了解(jie)更多可(ke)以(yi)查(cha)看KIA官网或(huo)是(shi)致电KIA，我们将竭诚为您(nin)服务！
下面我们(men)一起来看看KIA2803A和FDD8870这(zhei)两(liang)个型号的具体参数、封装(zhuang)、电(dian)路特征等(deng)。
1、RDS（on）=2.2mΩ（类型(xing)）@VGS=10V
2、低导通电阻
3、100%雪崩试验
4、无(wu)铅、符合RoHS标准(zhun)
产品型号：KIA2803A
工作(zuo)方(fang)式：150A/30V
漏(lou)源极(ji)电压:30V
栅源电压:±20V
连续(xu)漏电流@VGS=10V,TC=25oC:150A
脉冲(chong)漏电(dian)流测(ce)试TC=25oC:600A
单脉冲雪崩能:625MJ
最大功率消耗TC=25oC:160W
最高温度:175℃
贮(zhu)存温度范围：-55℃至+175℃
查看及下载规格(ge)书，请点击下图。
这(zhei)种N沟道MOSFET是专门为(wei)提高(gao)DC/DC变换器(qi)的整体效率(lv)同步或常规开(kai)关PWM控制(zhi)器(qi)。它已经针对低栅电荷、低栅电荷进行(xing)了优化。R-DS（开(kai)）和快速(su)切(qie)换速(su)度。
rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A
rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4.5V,ID=35A
高性能沟槽(cao)技(ji)术，极低RDS（开）
低栅电(dian)荷(he)
高功(gong)率和电流处理能力
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