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体二极管的技术参数(shu)VSD、Is、trr、Qrr、ISM、IRRM

早期的功率MOSFET常常会由于漏-源极的电流或者电压的变化速率太快而失控，或者形成漏-源极的击穿损坏。而在大功率的高速开关电路中，纯阻性负载是很少见的，即便外部负载是纯阻性的，电路的散布参数、VMOS本身的散布参数在VMOS高速开关期间，也会有时间很短但是速度很快的电压/电流变化现象。形成MOSFET易损的缘由是内部寄生的NPN晶体管在作祟。

以双扩散厂艺为代表的MOSFET消费工艺，缩短了N+源区，同时增加了P+基区，寄生的NPN晶体管被根本上抑止掉了，转而为一个PN结所替代，这就是寄生二极管（体二极管）。

但是体二极管的开关速度常常并不够快，在低速开关电路中，体二极管是很好用的续流二极管，可以有效地维护VMOS，但是在高速电路中，常常需求—个开关速度更快的二极管（如肖特基二极管）与之并联，以免由于体二极管来不及翻开形成灾难性的结果（失控或者损坏）。这无疑会增加电路本钱。

因而体二极管的性能关于VMOS而言，也是相当重要的，特别是高速开关电路中，它的性能决议了你能否需求额外增加开关速度更高的续流二极管。

体二极管的技术参数的意义如下。

源极连续电(dian)流(liu)(liu)，漏(lou)极与源极间的(de)体二(er)(er)极管的(de)最(zui)大正(zheng)向连续电(dian)流(liu)(liu)，也(ye)写作IDR，意义是(shi)（漏(lou)极连续反(fan)向电(dian)流(liu)(liu)）。手册普通给出的(de)是(shi)最(zui)大值，这个参数(shu)表(biao)(biao)征的(de)是(shi)在(zai)(zai)VMOS关(guan)断、体二(er)(er)  极管开通时能接(jie)受的(de)最(zui)大电(dian)流(liu)(liu)，电(dian)流(liu)(liu)方向与漏(lou)极电(dian)流(liu)(liu)相反(fan)，以不(bu)超越管芯(xin)的(de)结温为限(xian)。假如仅(jin)仅(jin)表(biao)(biao)示体二(er)(er)极管的(de)正(zheng)向续流(liu)(liu)电(dian)流(liu)(liu)而不(bu)是(shi)最(zui)大值时，普通用(yong)IF表(biao)(biao)示；不(bu)过，在(zai)(zai)一(yi)些老产品的(de)技术手册中，IF也(ye)表(biao)(biao)示续流(liu)(liu)电(dian)流(liu)(liu)的(de)最(zui)大值。

IS是体二极管的电流规格，普通与VMOS的电流规格相同。因而，在紧急状况下，将源极与栅极短接起来，VMOS能够充任大电流的快恢复二极管运用。

体二极管正向压降，漏极与源极间的体二极管的正向压降，也写作（体二极管）正向压降和VF，体二极管正向压降）。VSD的是在VMOS关断、体二极管开通时，给定Is条件下，体二极管的导通压降。手册普通给出的是最大值，数值在1V左右。

源极脉冲电流（体二极管），漏极与源极间的体二极管的最大正向脉冲电流，也写作IDRP，意义是（漏极反向脉冲电流）。这个参数表征的是体二极管抗单次电流冲击的极限才能，手册普通给出的是最大值，数值上与VMOS的IDM相同。

（体二掇管）反向恢复电流，也写作Irr。这个参数表征的是体二极管关断时的结电容的充电电流。正导游通的体二极管作为续流二极管运用时，续流电流也会同时给体二极管的结电容充电，续流完毕后，体二极管并不会马上关断，这是由于结电容所存储电荷的释放而构成与续流电流方向相反的“恢复”电流，这个反向恢复电流的方向与VMOS开通时的漏极电流的方向则是相同的，从而会增加VMOs的漏极功耗。IRRM是一个疾速变化的量，技术手册普通给出的是峰值，不是一切的技术手册都给出这个参数值。

（体二极管）反向恢复时间。这个参数表征的是体二极管的结电容的电荷泄放时间，也就是IRRM的存续时间。

目前依据二(er)极(ji)管(guan)(guan)的(de)反向恢(hui)复时间对功(gong)率(lv)二(er)极(ji)管(guan)(guan)的(de)分类，普通二(er)极(ji)管(guan)(guan)的(de)trr>500ns:trr在300一500ns之间为快(kuai)速二(er)极(ji)管(guan)(guan)；trr在100～300ns为快(kuai)恢(hui)复二(er)极(ji)管(guan)(guan)；trr在50-100ns为超快(kuai)恢(hui)复二(er)极(ji)管(guan)(guan)；trr<10ns为肖特基二(er)极(ji)管(guan)(guan)，如(ru)今有(you)一些超快(kuai)恢(hui)复二(er)极(ji)管(guan)(guan)的(de)trr在20一50ns之间。小(xiao)功(gong)率(lv)开关二(er)极(ji)管(guan)(guan)的(de)trr般(ban)也小(xiao)于20ns。

（体(ti)二(er)(er)极(ji)管）反向(xiang)恢复电(dian)荷。这(zhei)个参数(shu)表征的(de)(de)是体(ti)二(er)(er)极(ji)管的(de)(de)结电(dian)容在止向(xiang)开通(tong)期(qi)间所(suo)存储的(de)(de)电(dian)荷，相当(dang)于体(ti)二(er)(er)极(ji)管的(de)(de)结电(dian)容所(suo)存储的(de)(de)能量(liang)。

一些(xie)产品的(de)(de)技术手册还会给出体二极管的(de)(de)反向恢复(fu)时(shi)间的(de)(de)降(jiang)落时(shi)间(ta)、上升时(shi)间(tb)，普通而言，ta>tb。

上述诸参数能够在体二极管的电流波形上直观地表现出来（图3. 21）。

技术(shu)手册(ce)在(zai)给出体二极管的(de)技术(shu)参(can)(can)数时(shi)，测试条件中(zhong)会有图3。21中(zhong)的(de)di/dt参(can)(can)数，在(zai)给出的(de)曲(qu)线图中(zhong)，有时(shi)会采(cai)用dif/dt，由于反向(xiang)(xiang)恢复电流的(de)—卜升(sheng)速(su)率更快，因而更有代(dai)表(biao)性。二者对(dui)(dui)Irr、trr、Qrr均有明显影响，对(dui)(dui)IRRM、Qrr影响是(shi)正(zheng)向(xiang)(xiang)的(de)，对(dui)(dui)trr的(de)影响则是(shi)反向(xiang)(xiang)的(de)。图3. 22是(shi)IRF3207的(de)技术(shu)手册(ce)中(zhong)给出的(de)波(bo)形图，VR表(biao)示体二极管两端(duan)的(de)最人反向(xiang)(xiang)恢复电压。