利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

关于穿通击穿，有以下一些特征：

（1）穿通击(ji)穿的击(ji)穿点(dian)软，击(ji)穿过程中，电流(liu)有(you)逐渐增大(da)(da)的特征(zheng)，这(zhei)是因为耗(hao)尽(jin)层扩展较宽，发(fa)(fa)生电流(liu)较大(da)(da)。另一方面，耗(hao)尽(jin)层展广大(da)(da)容(rong)易(yi)发(fa)(fa)生DIBL效应，使(shi)源衬(chen)底结正偏呈现电流(liu)逐渐增大(da)(da)的特征(zheng)。

（2）穿(chuan)通击(ji)(ji)(ji)穿(chuan)的(de)(de)软(ruan)击(ji)(ji)(ji)穿(chuan)点(dian)发生在源漏的(de)(de)耗(hao)尽(jin)层相接时(shi)，此(ci)刻源端的(de)(de)载流(liu)(liu)子注入到耗(hao)尽(jin)层中， 被耗(hao)尽(jin)层中的(de)(de)电(dian)场加快(kuai)到达漏端，因此(ci)，穿(chuan)通击(ji)(ji)(ji)穿(chuan)的(de)(de)电(dian)流(liu)(liu)也有急剧(ju)增大点(dian)，这个(ge)电(dian)流(liu)(liu)的(de)(de)急剧(ju)增大和雪(xue)崩击(ji)(ji)(ji)穿(chuan)时(shi)电(dian)流(liu)(liu)急剧(ju)增大不(bu)同，这时(shi)的(de)(de)电(dian)流(liu)(liu)相当(dang)于源衬底PN结(jie)正向导通时(shi)的(de)(de)电(dian)流(liu)(liu)，而雪(xue)崩击(ji)(ji)(ji)穿(chuan)时(shi)的(de)(de)电(dian)流(liu)(liu)主要(yao)为PN结(jie)反向击(ji)(ji)(ji)穿(chuan)时(shi)的(de)(de)雪(xue)崩电(dian)流(liu)(liu)，如不(bu)作限(xian)流(liu)(liu)，雪(xue)崩击(ji)(ji)(ji)穿(chuan)的(de)(de)电(dian)流(liu)(liu)要(yao)大。

（3）穿(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)通击(ji)(ji)穿(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)一(yi)般不(bu)会呈现破坏性击(ji)(ji)穿(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)。因(yin)为(wei)穿(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)通击(ji)(ji)穿(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)场强没(mei)有到达(da)雪崩击(ji)(ji)穿(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)的场强，不(bu)会发生许多电子(zi)空(kong)穴对。

（4）穿(chuan)通击穿(chuan)一(yi)般(ban)发生在沟(gou)(gou)道体内，沟(gou)(gou)道外表(biao)不容易发生穿(chuan)通，这主要是因为沟(gou)(gou)道注(zhu)入使外表(biao)浓度比浓度大构成(cheng)，所以，对NMOS管一(yi)般(ban)都有(you)防穿(chuan)通注(zhu)入。

（5）一般的(de)(de)，鸟(niao)嘴边(bian)际的(de)(de)浓(nong)度比沟(gou)道中心浓(nong)度大，所以穿通(tong)击穿一般发生在沟(gou)道中心。

（6）多(duo)晶栅长度对穿(chuan)(chuan)通击(ji)(ji)穿(chuan)(chuan)是有影响(xiang)的，跟(gen)着栅长度添加，击(ji)(ji)穿(chuan)(chuan)增(zeng)大。而对雪(xue)崩击(ji)(ji)穿(chuan)(chuan)，严格来说也(ye)有影响(xiang)，可(ke)是没有那么(me)明(ming)显。

MOS管(guan)被击(ji)穿的原因及解决(jue)方(fang)案如下：

第一、MOS管(guan)(guan)本身的(de)输(shu)入(ru)电(dian)阻很高，而栅-源极间电(dian)容(rong)又十分(fen)小，所以极易(yi)受外界电(dian)磁场(chang)或(huo)静(jing)电(dian)的(de)感应而带电(dian)，而少数(shu)电(dian)荷(he)就可在(zai)极间电(dian)容(rong)上构成相当(dang)高的(de)电(dian)压(U=Q/C)，将管(guan)(guan)子损坏。尽(jin)管(guan)(guan)MOS输(shu)入(ru)端有抗静(jing)电(dian)的(de)维护措施，但仍需当(dang)心对待，在(zai)存储和运(yun)送中最(zui)好用金(jin)属容(rong)器(qi)或(huo)许导电(dian)资料包装(zhuang)，不要(yao)放在(zai)易(yi)发生静(jing)电(dian)高压的(de)化(hua)工资料或(huo)化(hua)纤织物(wu)中。拼装(zhuang)、调试时，东西、外表、工作(zuo)台等均应杰(jie)(jie)出接地。要(yao)避免操作(zuo)人员的(de)静(jing)电(dian)搅扰构成的(de)损坏，如不宜穿尼(ni)龙(long)、化(hua)纤衣(yi)服，手或(huo)东西在(zai)触摸(mo)集成块前最(zui)好先接一下地。对器(qi)材引线矫直曲折(zhe)或(huo)人工焊接时，运(yun)用的(de)设备(bei)有必要(yao)杰(jie)(jie)出接地。

第二、MOS电(dian)(dian)路(lu)输(shu)入(ru)端的(de)维护二极(ji)管(guan)，其导通(tong)时电(dian)(dian)流容限一般为1mA 在可(ke)能呈现过(guo)(guo)大瞬态(tai)输(shu)入(ru)电(dian)(dian)流(超(chao)越10mA)时，应串(chuan)接(jie)输(shu)入(ru)维护电(dian)(dian)阻。而(er)129#在初期设计时没有(you)参加维护电(dian)(dian)阻，所(suo)以(yi)这也是MOS管(guan)可(ke)能击(ji)穿的(de)原因，而(er)经过(guo)(guo)替(ti)换一个内(nei)部有(you)维护电(dian)(dian)阻的(de)MOS管(guan)应可(ke)避免此(ci)种失效的(de)发(fa)生。还有(you)因为维护电(dian)(dian)路(lu)吸收的(de)瞬间能量有(you)限，太大的(de)瞬间信(xin)号和过(guo)(guo)高的(de)静电(dian)(dian)电(dian)(dian)压将使(shi)维护电(dian)(dian)路(lu)失去(qu)效果。所(suo)以(yi)焊(han)接(jie)时电(dian)(dian)烙(luo)铁有(you)必(bi)要可(ke)靠(kao)接(jie)地(di)，以(yi)防(fang)漏电(dian)(dian)击(ji)穿器材输(shu)入(ru)端，一般运用时，可(ke)断(duan)电(dian)(dian)后使(shi)用电(dian)(dian)烙(luo)铁的(de)余热进行焊(han)接(jie)，并先焊(han)其接(jie)地(di)管(guan)脚。

MOS是电(dian)压驱动元件(jian)，对(dui)(dui)电(dian)压很(hen)敏(min)感，悬空(kong)的(de)G很(hen)容(rong)易(yi)接受外部搅扰使MOS导(dao)通，外部搅扰信(xin)号对(dui)(dui)G-S结电(dian)容(rong)充电(dian)，这(zhei)个细小的(de)电(dian)荷能(neng)够(gou)贮存很(hen)长时刻。在实验中G悬空(kong)很(hen)风险，许多就因为这(zhei)样爆管，G接个下拉电(dian)阻对(dui)(dui)地，旁路搅扰信(xin)号就不会(hui)直通了，一般能(neng)够(gou)10~20K。

这个电(dian)阻称为栅极电(dian)阻。效果1：为场效应管供给偏置电(dian)压;效果2：起到泻(xie)放电(dian)(dian)阻(zu)的(de)效(xiao)(xiao)果(维护栅(zha)极(ji)(ji)G~源极(ji)(ji)S)。榜首个(ge)效(xiao)(xiao)果好了(le)解(jie)，这(zhei)(zhei)儿解(jie)释(shi)一(yi)下第二个(ge)效(xiao)(xiao)果的(de)原理：维护栅(zha)极(ji)(ji)G~源极(ji)(ji)S：场效(xiao)(xiao)应管(guan)的(de)G-S极(ji)(ji)间(jian)的(de)电(dian)(dian)阻(zu)值是很大的(de)，这(zhei)(zhei)样只要有少数的(de)静(jing)电(dian)(dian)就(jiu)能(neng)(neng)使(shi)他的(de)G-S极(ji)(ji)间(jian)的(de)等效(xiao)(xiao)电(dian)(dian)容(rong)两头发生很高的(de)电(dian)(dian)压(ya)，如果不及(ji)时(shi)把(ba)这(zhei)(zhei)些少数的(de)静(jing)电(dian)(dian)泻(xie)放掉，他两头的(de)高压(ya)就(jiu)有可(ke)能(neng)(neng)使(shi)场效(xiao)(xiao)应管(guan)发生误动作，甚至有可(ke)能(neng)(neng)击穿其G-S极(ji)(ji);这(zhei)(zhei)时(shi)栅(zha)极(ji)(ji)与(yu)源极(ji)(ji)之间(jian)加的(de)电(dian)(dian)阻(zu)就(jiu)能(neng)(neng)把(ba)上述(shu)的(de)静(jing)电(dian)(dian)泻(xie)放掉，然后起到了(le)维护场效(xiao)(xiao)应管(guan)的(de)效(xiao)(xiao)果。