login_博猫2「一家有爱的游戏平台」MOS管构成的存储矩阵-ROM与RAM重点分析-KIA MOS管

MOS管(guan)构成(cheng)的存(cun)储矩阵-ROM与RAM重点分析(xi)-KIA MOS管(guan)

信息来源：本站　日期：2018-02-28　

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半(ban)导体存(cun)储器(qi)是一种能存(cun)储大(da)量二值信(xin)息的半(ban)导体器(qi)件(jian)。按存(cun)储功能可(ke)分为只读存(cun)储器(qi)(ROM)和随机存(cun)储器(qi)（RAM）

一、只读存储器(ROM)

只读存储器按写入方式一般分为三种：固定(ding)内(nei)容ROM、可(ke)编程ROM和(he)可(ke)擦除型的(de)EPROM

1、ROM的基本结构和工作原理

ROM的基(ji)本结构(gou)如图(tu)所(suo)示

地址译码器相(xiang)当于最小项译码器。而存(cun)储单(dan)元(yuan)是由N沟道增强型(xing)MOS管构(gou)成的(de)，可以理解为有MOS管存(cun)在，则其(qi)单(dan)元(yuan)内存(cun)储的(de)信息为1。

地址译码器相(xiang)当(dang)于(yu)“与逻辑矩(ju)阵(zhen)(zhen)”，ROM 存储矩(ju)阵(zhen)(zhen)相(xiang)当(dang)于(yu)“或逻辑矩(ju)阵(zhen)(zhen)”，整个存储器是一个“与或”矩(ju)阵(zhen)(zhen)。一般情况(kuang)下，“与矩(ju)阵(zhen)(zhen)”是不可(ke)编(bian)(bian)程(cheng)，而(er)“或矩(ju)阵(zhen)(zhen)”是可(ke)编(bian)(bian)程(cheng)的。

若ROM有(you)n条(tiao)地址线，m条(tiao)位线，则(ze)ROM矩阵的存储容量等于2n×m。

2、ROM的(de)分类

简单了解掩模ROM、PROM、EPROM、E2PROM和快闪存储(chu)器(Flash Memory)的功能，不做重点。

3、ROM芯片

EEPROM典型芯(xin)片(pian)2864A的芯(xin)片(pian)引脚(jiao)如图所示(shi)

A0～A12为地址(zhi)译(yi)码输(shu)入端(duan)(duan)，I/O0~I/O7为8位数据输(shu)入输(shu)出端(duan)(duan)，CE为片选端(duan)(duan)，为写使能端(duan)(duan)，为读使能端(duan)(duan)。2864A共有213条字线，8条位线，其(qi) 存储容量为213×8bit(8K byte)。

EEPROM 2864的工作方(fang)式如(ru)图所示(shi)

此外Flash Memory芯(xin)片的引脚图和(he)工作方式也要理解掌握(wo)。

二、随机存储器（RAM）

RAM按工作原理分为静态(tai)随机存(cun)储(chu)器SRAM和动态(tai)随机存(cun)储(chu)器DRAM。

1、ROM的基本结构和工作(zuo)原理

ROM的基本(ben)结构和工作(zuo)方式如图所示

SRAM和DRAM的结构和功能(neng)对比

SRAM:以触(chu)发器为基本存(cun)储单元，所以只要不(bu)掉电，其所存(cun)信息就不(bu)会丢失(shi)。该(gai)类芯片的集成(cheng)度不(bu)如(ru)DRAM，功耗也比DRAM高，但它的速度比DRAM快，也不(bu)需要刷新电路。一般用(yong)于构成(cheng)高速缓冲存(cun)储器。

DRAM:一般用MOS型动(dong)态存储单元构成(cheng)，结构简单，集成(cheng)度(du)高。但是，如果不及时进(jin)行刷新(xin)，极(ji)间(jian)电容中的电荷会在很(hen)短时间(jian)内(nei)自(zi)然泄(xie)漏(lou)，致(zhi)使(shi)信息(xi)丢失。所以(yi)，必须为它(ta)配(pei)备专门(men)的刷新(xin)电路。

2、DRAM的刷新方式有三种，了解就好，不做重点。