解析“MOS管(guan)的本征增益gmro”的特征和频率
信息来(lai)源：本站 日(ri)期：2017-08-21
栅(zha)源放大电路(lu)
源极接地放大电路是最常用的放大电路，它最大的电压增益是gmr。（MOS晶体管的本征增益），也就是不超越几十倍的程度。所谓“本征”，就是说具有比ro大得多的负载电阻Rload的放大电路的电压增益与这个负载电阻的值无关，只由MOS晶体管同有的值决议。模拟电路中，这种程度(gmro)的增益对许多电路是不够用的。为了进—步进步增益必需采取某些措施：(P)使有效输出电阻大于ro。(2)增大MOS晶体管的跨导gm。
其中措施(1)用表3.1所列的基本放大电路是不可能完成的。但是，假设采用下面的栅源结构，就能够增大有效的输出电阻。就是说，源极衔接电阻Zs，而从漏极一侧看到的Zs电阻增入了本征增益gmro倍。细致来说，将源极接地放大电路与栅极接地放大电路串接起来，从而增大了从输出端看到的MOS晶体管的电阻。
为了理解这个栅源放大电路的原理，往常来估量图3.8示出的MOS晶体管源极端加电阻Zs的电路的输出电阻。这个电路中，当输出端电压稍微上升时，流人输出端的电流也稍微增加。令它们分别为Vout和id，假设以为MOS晶体管栅极—源极间电压减少了Zsid，那么MOS晶体管的漏极输出电阻rout就是：
rout =gmroZs
gm ro是MOS晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)的(de)本征(zheng)增益。像(xiang)这样给栅(zha)极接地MOS晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)的(de)源极附加(jia)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)Zs，就有(you)MOS晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)增益gmro倍的(de)电(dian)(dian)(dian)压反(fan)响到电(dian)(dian)(dian)阻(zu)上，可以以为(wei)这时漏(lou)极输出电(dian)(dian)(dian)阻(zu)rout增大了MOS晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)的(de)增益gmro倍。有(you)效应用(yong)(yong)电(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)这种特(te)性(xing)的(de)电(dian)(dian)(dian)路(lu)叫做栅(zha)源放大电(dian)(dian)(dian)路(lu)。当然，源极衔(xian)接的(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)Zs即使用(yong)(yong)MOS晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)的(de)输出电(dian)(dian)(dian)阻(zu)ro也能得到同样的(de)效果(guo)。图3.9示出栅(zha)源衔(xian)接的(de)n沟MOS晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)与负(fu)载(zai)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)构成的(de)放大电(dian)(dian)(dian)路(lu)。
由于放大电路的电压增益由负载电阻决议，所以这种方式需求运用大的负载电阻Rload图3. 10示出用P沟MOS晶体管的栅源完成这个高负载电阻时的电路。输出端的两端分别串接P沟MOS和N沟MOS。按照图3.8的结果，这个电路的输出电阻比源极接地MOS晶体管的漏极电阻大了gmro倍，所以增益｜Ao｜也相应地增加。就是说，栅源放大电路的增益是源极接地放大电路的几十倍，即可达到1000倍(60dB)。
