1.通常情况下(xia)直流电源输入防反接(jie)保(bao)护电路是运用二极管(guan)的(de)单向导电性(xing)来完结防反接(jie)保(bao)护。如下(xia)图1示：

这(zhei)种(zhong)接法简略可靠，但当输入大电流的(de)(de)情况下功(gong)耗(hao)影响是非(fei)常(chang)大的(de)(de)。以输入电流额(e)定值抵达2A,如选用Onsemi的(de)(de)快速恢(hui)复二极管  MUR3020PT，额(e)定管压(ya)降为(wei)0.7V，那(nei)么(me)功(gong)耗(hao)至少也(ye)要抵达：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，这(zhei)样功(gong)率低(di)，发热量大，要加(jia)散热器(qi)。

2.其他还可以(yi)用二极(ji)(ji)管(guan)桥对输入做整流，这(zhei)样电(dian)(dian)路就永久(jiu)有正确的(de)极(ji)(ji)性(图2)。这(zhei)些方案的(de)缺点(dian)是，二极(ji)(ji)管(guan)上的(de)压降会消耗能量。输入电(dian)(dian)流为(wei)(wei)2A时，图1中(zhong)的(de)电(dian)(dian)路功(gong)耗为(wei)(wei)1.4W，图2中(zhong)电(dian)(dian)路的(de)功(gong)耗为(wei)(wei)2.8W。

图1

图1 一只串(chuan)联(lian)二(er)极(ji)管保(bao)护系统(tong)不受反(fan)向(xiang)极(ji)性影响，二(er)极(ji)管有0.7V的压降

图2

图(tu)2 是一个桥(qiao)式整(zheng)流器，不论(lun)什么极(ji)性都(dou)可以正(zheng)常作业，但是有(you)两个二(er)极(ji)管导通，功耗是图(tu)1的(de)两倍

MOS管型防(fang)反(fan)接(jie)保(bao)护电路

图3运用(yong)了(le)MOS管的开(kai)关特性，控制电路(lu)的导通和(he)断开(kai)来规划(hua)防反接保护电路(lu)，由(you)于(yu)功率MOS管的内阻很小，现(xian)在 MOSFET Rds（on）现(xian)已可(ke)以(yi)做到毫(hao)欧级，处理了(le)现(xian)有(you)选用(yong)二极管电源防反接方案(an)存在的压(ya)降(jiang)和(he)功耗(hao)过大的问题。

极性反接保(bao)护(hu)将保(bao)护(hu)用(yong)(yong)场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)与被(bei)(bei)保(bao)护(hu)电路(lu)(lu)串(chuan)联(lian)(lian)联(lian)(lian)接。保(bao)护(hu)用(yong)(yong)场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)为(wei)PMOS场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)或NMOS场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)。若为(wei)PMOS，其(qi)栅(zha)极和(he)源(yuan)(yuan)极分(fen)别联(lian)(lian)接被(bei)(bei)保(bao)护(hu)电路(lu)(lu)的(de)接地端(duan)(duan)和(he)电源(yuan)(yuan)端(duan)(duan)，其(qi)漏(lou)极联(lian)(lian)接被(bei)(bei)保(bao)护(hu)电路(lu)(lu)中(zhong)PMOS元件(jian)的(de)衬底(di)。若是NMOS，其(qi)栅(zha)极和(he)源(yuan)(yuan)极分(fen)别联(lian)(lian)接被(bei)(bei)保(bao)护(hu)电路(lu)(lu)的(de)电源(yuan)(yuan)端(duan)(duan)和(he)接地端(duan)(duan)，其(qi)漏(lou)极联(lian)(lian)接被(bei)(bei)保(bao)护(hu)电路(lu)(lu)中(zhong)NMOS元件(jian)的(de)衬底(di)。一旦被(bei)(bei)保(bao)护(hu)电路(lu)(lu)的(de)电源(yuan)(yuan)极性反接，保(bao)护(hu)用(yong)(yong)场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)会构成断路(lu)(lu)，防止(zhi)电流焚毁电路(lu)(lu)中(zhong)的(de)场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)元件(jian)，保(bao)护(hu)整(zheng)体(ti)电路(lu)(lu)。

详细(xi)N沟道MOS管防反接(jie)保护电路电路如图3示

图3. NMOS管型(xing)防反接保护(hu)电路

图3

N沟道MOS管(guan)经过S管(guan)脚和D管(guan)脚串接(jie)(jie)(jie)于电(dian)源(yuan)和负载之间，电(dian)阻R1为MOS管(guan)供应电(dian)压(ya)(ya)偏置，运用(yong)MOS管(guan)的(de)开(kai)(kai)关特性控制电(dian)路的(de)导(dao)(dao)通(tong)和断开(kai)(kai)，然后防止电(dian)源(yuan)反(fan)(fan)接(jie)(jie)(jie)给负载带来损坏。正接(jie)(jie)(jie)时(shi)分，R1供应VGS电(dian)压(ya)(ya)，MOS丰满导(dao)(dao)通(tong)。反(fan)(fan)接(jie)(jie)(jie)的(de)时(shi)分MOS不(bu)能导(dao)(dao)通(tong)，所以(yi)起到防反(fan)(fan)接(jie)(jie)(jie)作用(yong)。功率MOS管(guan)的(de)Rds（on）只要20mΩ实(shi)践(jian)损耗(hao)很小，2A的(de)电(dian)流，功耗(hao)为（2×2)×0.02=0.08W根柢不(bu)必外加散热片。处(chu)理(li)了现有选用(yong)二极(ji)管(guan)电(dian)源(yuan)防反(fan)(fan)接(jie)(jie)(jie)方案存在的(de)压(ya)(ya)降和功耗(hao)过大的(de)问题。

VZ1为稳压管(guan)防止栅源电压过高击(ji)穿mos管(guan)。NMOS管(guan)的导通电阻比PMOS的小，最好选NMOS。

NMOS管接在电源(yuan)的(de)负极，栅极高(gao)电平导通。

PMOS管(guan)接在电(dian)(dian)源的正极，栅极低电(dian)(dian)平导通。

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