开关MOS寄生二极管(guan)的多种妙用详细解析-KIA MOS管(guan)
信(xin)息来(lai)源(yuan)：本(ben)站(zhan) 日期：2020-07-07
当电(dian)路中(zhong)产生很大(da)的瞬间反向电(dian)流时，可(ke)以通过(guo)这(zhei)个(ge)二极(ji)管导(dao)出(chu)来，不至于(yu)击穿这(zhei)个(ge)MOS管。（起到(dao)保护MOS管的作用）
沟槽Trench型(xing)(xing)N沟道增(zeng)强型(xing)(xing)功率MOSFET的结构如下图所示，在(zai)(zai)(zai)N-epi外延层(ceng)上(shang)(shang)扩散形成(cheng)(cheng)P基(ji)区(qu)，然后通过刻蚀技术形成(cheng)(cheng)深度超过P基(ji)区(qu)的沟槽，在(zai)(zai)(zai)沟槽壁上(shang)(shang)热氧(yang)化(hua)生成(cheng)(cheng)栅氧(yang)化(hua)层(ceng)，再用(yong)多晶硅填充沟槽，利(li)用(yong)自对准工(gong)艺形成(cheng)(cheng)N+源(yuan)区(qu)，背面(mian)的N+substrate为(wei)漏区(qu)，在(zai)(zai)(zai)栅极加(jia)上(shang)(shang)一定正电压(ya)后，沟槽壁侧的P基(ji)区(qu)反型(xing)(xing)，形成(cheng)(cheng)垂直沟道。
由下图中的(de)结(jie)构可以看到，P基区和N-epi形成(cheng)了一个PN结(jie)，即MOSFET的(de)寄生体二极管(guan)。
1、全桥逆(ni)变电路
2、三相桥电路
3、LLC半桥谐振电路(lu)ZVS
4、移相全桥PSFB ZVS
5、HID照(zhao)明（ZVS）
1、MOSFET体二极(ji)管(guan)反向恢复
2、LLC半(ban)桥谐振变换器(qi)
3、LLC电(dian)压增益(yi)
4、LLC变(bian)换器 ZVS状(zhuang)态下模态切换
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