500v功放管mos

什么是功放管

KIA半导体供应500v功(gong)放(fang)管(guan)mos，先来看(kan)看(kan)功(gong)放(fang)管(guan)的分类(lei)：A类(lei)功(gong)放(fang)（又称甲(jia)类(lei)功(gong)放(fang)） A类(lei)功(gong)放(fang)输(shu)(shu)出级中两(liang)个（或两(liang)组）晶体管(guan)永远处(chu)于导电(dian)(dian)状态，也就是(shi)说不管(guan)有无(wu)讯(xun)号(hao)输(shu)(shu)入(ru)它们都(dou)保持传导电(dian)(dian)流，并使这两(liang)个电(dian)(dian)流等于交流电(dian)(dian)的峰值，这时交流在最大(da)讯(xun)号(hao)情(qing)况下流入(ru)负(fu)载。当无(wu)讯(xun)号(hao)时，两(liang)个晶体管(guan)各流通等量的电(dian)(dian)流，因(yin)此在输(shu)(shu)出中心点(dian)上(shang)没有不平衡的电(dian)(dian)流或电(dian)(dian)压，故无(wu)电(dian)(dian)流输(shu)(shu)入(ru)扬声器。当讯(xun)号(hao)趋向正极，线路上(shang)方(fang)的输(shu)(shu)出晶体管(guan)容。

功放管参数

晶体管类型 PNP - Darlington

电(dian)压 - 集电(dian)极发射极击穿（最大） 100V

电(dian)流 - 集电(dian)极 (Ic)（最大） 10A

功(gong)率 - 最大 125W

在(zai)某 Ic、Vce 时的最小直(zhi)流电流增益 (hFE) 1000 @ 5A, 4V

Ib、Ic条件下的Vce饱和(he)度(du)（最大） 2V @ 10mA, 5A

电流 - 集电极(ji)截止(zhi)（最大） 2mA

500v功放管mos选型

下面(mian)是500v功放管(guan)mos的参数选型表(biao)：

500v功放管mos-KIA半导体原厂介绍

500v功放(fang)管(guan)(guan)(guan)(guan)mos原厂供应(ying)(ying)(ying)商介绍(shao)，KIA半导(dao)体主营半导(dao)体产品丰富(fu)，是一(yi)(yi)家国产MOS管(guan)(guan)(guan)(guan)厂家。专业从事中、大、功率场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)(MOSFET)、超结场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)、碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)二(er)极管(guan)(guan)(guan)(guan)、碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)、快速(su)恢复二(er)极管(guan)(guan)(guan)(guan)、三端(duan)稳压管(guan)(guan)(guan)(guan)开发(fa)设计，集研发(fa)、生产和(he)销售为一(yi)(yi)体的国家高新技术(shu)企业。

覆盖领(ling)域：工(gong)业、新(xin)能(neng)源、交(jiao)通运输、绿色(se)照明四大领(ling)域，不仅包括光伏逆变(bian)及(ji)无(wu)人机、充电(dian)桩、这类新(xin)兴能(neng)源，也(ye)涉(she)及(ji)汽(qi)车配件、LED照明等(deng)家庭(ting)用品及(ji)新(xin)型领(ling)域。

从设计研发(fa)到(dao)制造(zao)再到(dao)仓储物流，KIA半导体真正实(shi)现了(le)一体化(hua)的服务(wu)链，真正做到(dao)了(le)服务(wu)细节(jie)全到(dao)位的品(pin)牌内涵，我们致力于(yu)成为(wei)场效(xiao)应管（MOSFET）功(gong)率器件(jian)领(ling)域(yu)的领(ling)跑者，为(wei)了(le)这个目标，KIA半导体正在持续创新，永(yong)不止(zhi)步！

mos管的功放优缺点
（一）优点

1、MOS 管功(gong)放具(ju)有鼓励功(gong)率小(xiao)，输(shu)出(chu)功(gong)率大，输(shu)出(chu)漏极电流(liu)具(ju)有负温度(du)系(xi)数，平安牢靠，且有工作频率高，偏(pian)置简单等优点。以运放的输(shu)出(chu)作为(wei)OCL 的输(shu)入，到达抑止零点漂移的效果。

2、中音厚，没有三(san)极管那么大的交越失真。

电(dian)(dian)流(liu)(liu)推(tui)进级通常由一(yi)(yi)至二级组成(cheng)，为(wei)了(le)降低输出阻抗、增加(jia)阻尼(ni)系数，常采用二级电(dian)(dian)流(liu)(liu)推(tui)进。为(wei)了(le)防止(zhi)电(dian)(dian)流(liu)(liu)推(tui)进级产生开关(guan)失(shi)真(zhen)(zhen)，较好的作法(fa)是、采用MOS管并增大(da)本(ben)级的静态电(dian)(dian)流(liu)(liu)，这样本(ben)级不(bu)会产生开关(guan)失(shi)真(zhen)(zhen)，由于任何(he)状况下电(dian)(dian)流(liu)(liu)推(tui)进级一(yi)(yi)直处于放(fang)(fang)大(da)区(qu)，所以电(dian)(dian)流(liu)(liu)输出级也一(yi)(yi)直处于放(fang)(fang)大(da)区(qu)，因而输出级同样不(bu)会产生开关(guan)失(shi)真(zhen)(zhen)和交越失(shi)真(zhen)(zhen)。

3、MOS管的线(xian)性比晶体管好。

（二）缺点

1、低频的(de)温(wen)和(he)度比(bi)晶(jing)(jing)(jing)体管(guan)(guan)功(gong)放差，MOSFET开(kai)(kai)关场(chang)效应管(guan)(guan)容易被输出和(he)输入过载损坏,MOSFET场(chang)效应晶(jing)(jing)(jing)体管(guan)(guan)既具(ju)有(you)晶(jing)(jing)(jing)体管(guan)(guan)的(de)根(gen)本优点。但运(yun)用不久发现这种(zhong)(zhong)功(gong)放的(de)牢(lao)靠性不高（无法外电路(lu)维护），开(kai)(kai)关速度进步得不多(duo)和(he)最大输出功(gong)率(lv)仅为(wei)150W/8Ω等。90年(nian)代初，MOSFET的(de)制造技(ji)术有(you)了(le)很(hen)大打破，呈现了(le)一种(zhong)(zhong)高速MOSFET大功(gong)率(lv)开(kai)(kai)关场(chang)效应晶(jing)(jing)(jing)体管(guan)(guan)。

西班牙艺格(ge)公司（ECLER）经多年研讨，攻(gong)克(ke)了(le)非(fei)毁坏性(xing)维护系统(tong)的(de)(de)SPM专利技术，推(tui)出了(le)集(ji)电子管(guan)功(gong)放(fang)(fang)和(he)(he)晶体(ti)管(guan)功(gong)放(fang)(fang)两者(zhe)优点(dian)分离(li)的(de)(de)第3代功(gong)放(fang)(fang)产(chan)品，在(zai)欧洲市场(chang)上(shang)取得了(le)认可，并逐渐(jian)在(zai)世界(jie)上(shang)得到了(le)应用。第3代MOSFET功(gong)放(fang)(fang)的(de)(de)中频和(he)(he)高频音质接(jie)近电子管(guan)功(gong)放(fang)(fang)，但低频的(de)(de)温(wen)和(he)(he)度比晶体(ti)管(guan)功(gong)放(fang)(fang)差一(yi)些，此外MOSFET开关(guan)场(chang)效应管(guan)容易被(bei)输(shu)(shu)出和(he)(he)输(shu)(shu)入过载损坏。

2、开启(qi)电压太高(gao)。

3、偏流开(kai)很(hen)大，还是(shi)有(you)一定的交(jiao)(jiao)越失真,没(mei)交(jiao)(jiao)越失真，差(cha)不(bu)多能够赶上三(san)极管的甲类输出功耗。

4、MOS管不好配对在同一批次管，相对来说(shuo)要(yao)好配对一点。

5、MOS管的(de)低(di)频下太硬(ying),用MOS功(gong)放(fang)(fang)听出所谓电(dian)子(zi)(zi)管音色(se)(se)有一个简单方法，把普通三极管功(gong)放(fang)(fang)里的(de)电(dian)压(ya)推进(jin)三极管换成JFET，JFET才真正(zheng)具有电(dian)子(zi)(zi)管音色(se)(se)。

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