mos管(guan)模(mo)型及(ji)三个小信号参数
信(xin)息(xi)来源：本站 日期(qi)：2017-08-18
小信号等效电(dian)路
模(mo)仿电路解析(xi)包括直流解析(xi)和交流小信(xin)(xin)号(hao)解析(xi)。这里导(dao)入(ru)小信(xin)(xin)号(hao)解析(xi)时所需(xu)要(yao)的小信(xin)(xin)号(hao)等效(xiao)电路。小信(xin)(xin)号(hao)等效(xiao)电路模(mo)型(xing)是使计算简单化的线性模(mo)型(xing)。
三个小信号参数gm、gmb、go
如前所述，模仿电路是在MOS晶体管器件的饱和区停止工作的。饱和区中，MOS晶体管的ID-VGS特性是ID∝ (VGS_VT)2，ID与Gs之间不是线性关系。但是，如图2.1所示，在微小电压νgs与微小电流id之间能够看作线性关系近似认为id∝ νgs。
图2.2示出MOS晶体管(guan)的低频(pin)小(xiao)信(xin)号(hao)等效电路。这里运用的小(xiao)信(xin)号(hao)参数(shu)gm、gmb、go定义如下（单位都(dou)是西[门子(zi)]，S）。
(1)跨导(dao)(transconductance) gm：
(2)体跨导(dao)(bulk transconductance)gmb：
(3)漏极电导(grain conductance)go：
跨导gm表(biao)示(shi)图2.1中(zhong)示(shi)出的(de)(de)(de)(de)微小区域中(zhong)直线的(de)(de)(de)(de)斜率(lv)(lv)。漏极电导go表(biao)示(shi)图2.3中(zhong)示(shi)出的(de)(de)(de)(de)ID-VDS特(te)性(xing)的(de)(de)(de)(de)斜率(lv)(lv)，go=1/ro（ro是(shi)输出电阻）。
