电(dian)动车(che)控(kong)制器75N75型号参数及封装-MOS在电(dian)动车(che)控(kong)制器中的应用-KIA MOS管
信息(xi)来(lai)源(yuan)：本站(zhan) 日(ri)期：2018-12-04
75NF75是N沟道(dao)增强型功率(lv)场(chang)状态特性稳定(ding)、快速的效应晶(jing)体管开关速度，低热阻，常(chang)用于电信和计算机应用。
RDS(ON)=12.5m? @VGS=10V
超低(di)栅电荷(he)（典型的90纳米(mi)）
快速交换能力
指定(ding)雪(xue)崩能量
改进的(de)dv/dt能力(li)，坚固性高
产品型(xing)号：KIA75NF75
工作方式：80A/80V
漏源(yuan)电压：80V
栅源电(dian)压：±25V
连(lian)续(xu)漏电流(liu)：80A/70A
脉冲(chong)漏(lou)电流：340A
雪崩(beng)电流：20A
雪(xue)崩能源:410MJ
最大功耗:240W/100W
查看详(xiang)情，请点击下(xia)图(tu)。
开通过程(cheng)、导通状态、关断过程(cheng)、截(jie)止状态、击穿状态。
MOS主(zhu)要损耗(hao)包(bao)括开(kai)关(guan)损耗(hao)（开(kai)通过程和关(guan)断过程），导通损耗(hao)，截(jie)止损耗(hao)（漏电流引起的，这个(ge)忽略不计），还(hai)有(you)雪崩能量(liang)损耗(hao)。电动车(che)控(kong)制器场效(xiao)应管只要把这些损耗(hao)控(kong)制在MOS承受规(gui)格之内，MOS即会正常工作(zuo)，超出(chu)承受范围，即发生损坏。
而开关损耗(hao)往(wang)往(wang)大于(yu)导(dao)通状态(tai)损耗(hao)，尤其是PWM没完全打(da)开，处于(yu)脉(mai)宽调制状态(tai)时（对应电动(dong)车的起步加速(su)(su)状态(tai)），而最高急速(su)(su)状态(tai)往(wang)往(wang)是导(dao)通损耗(hao)为主(zhu)。
电动车(che)控制器场效(xiao)应管简单来(lai)说电机是(shi)靠MOS的输出电流(liu)来(lai)驱动的，输出电流(liu)越(yue)大(da)（为了防止(zhi)过流(liu)烧坏MOS管，控制器有限(xian)流(liu)保(bao)护），电机扭矩就强，加速(su)就有力。
我们电(dian)动车控制器场效应管和(he)(he)平(ping)常cmos集成电(dian)路中的(de)小功率(lv)(lv)mos结构(gou)(gou)是(shi)(shi)不一(yi)样的(de)。小功率(lv)(lv)mos是(shi)(shi)平(ping)面(mian)型(xing)结构(gou)(gou)。而(er)电(dian)动车上上用的(de)功率(lv)(lv)mos是(shi)(shi)立(li)体结构(gou)(gou)。平(ping)面(mian)型(xing)结构(gou)(gou)是(shi)(shi)指，mos栅极，源级(ji)(ji)和(he)(he)漏(lou)级(ji)(ji)都(dou)在(zai)芯(xin)片(pian)表(biao)(biao)面(mian)（或者(zhe)说正面(mian)），而(er)沟道也(ye)在(zai)芯(xin)片(pian)表(biao)(biao)面(mian)横向(xiang)排列。（我们常见的(de)教(jiao)科书的(de)介(jie)绍mos原理(li)一(yi)般(ban)都(dou)是(shi)(shi)拿平(ping)面(mian)结构(gou)(gou)介(jie)绍）。而(er)功率(lv)(lv)mos的(de)立(li)体结构(gou)(gou)（沟道是(shi)(shi)深槽(cao)立(li)体结构(gou)(gou)）是(shi)(shi)栅极和(he)(he)源级(ji)(ji)引(yin)线从芯(xin)片(pian)正面(mian)引(yin)出（其实栅极也(ye)不在(zai)表(biao)(biao)面(mian)而(er)是(shi)(shi)内部，只是(shi)(shi)比较靠近表(biao)(biao)面(mian)），而(er)漏(lou)级(ji)(ji)是(shi)(shi)从芯(xin)片(pian)背面(mian)引(yin)出（其实整个芯(xin)片(pian)背面(mian)都(dou)是(shi)(shi)漏(lou)级(ji)(ji)连接在(zai)一(yi)起的(de)，整个个漏(lou)级(ji)(ji)用焊(han)接材料(liao)直接焊(han)接在(zai)金(jin)属板上，就是(shi)(shi)mos的(de)金(jin)属背板，一(yi)般(ban)是(shi)(shi)铜镀锡的(de)），所以(yi)(yi)我们见到的(de)mos一(yi)般(ban)金(jin)属板和(he)(he)中间(jian)引(yin)脚（就是(shi)(shi)漏(lou)级(ji)(ji)）是(shi)(shi)完(wan)全导(dao)通的(de)（有些特殊(shu)的(de)封(feng)装是(shi)(shi)可以(yi)(yi)做到金(jin)属板和(he)(he)中间(jian)脚绝缘的(de)）。
功率mos内部从漏级到(dao)源(yuan)级是有一个二极(ji)管的，这个二极(ji)管基本(ben)上所有的功率mos都(dou)具有，和它本(ben)身(shen)结(jie)构有关系(xi)（不需要(yao)单独制造(zao)，设计(ji)本(ben)身(shen)就有）。当然可以通过改变设计(ji)制造(zao)工艺，不造(zao)出(chu)这个二极(ji)管。但是这会影(ying)响芯片(pian)功率密度，要(yao)做到(dao)同样耐(nai)压和内阻，需要(yao)更大的芯片(pian)面积（因(yin)为(wei)结(jie)构不同）。大家只是知道这回事就行了。
我(wo)们所见的(de)电动车控制(zhi)器(qi)场效应管，其(qi)(qi)实内部由成千上(shang)(shang)万个小(xiao)(xiao)mos管并(bing)联而成（实际数量一(yi)(yi)般是上(shang)(shang)千万个，和(he)芯片面积和(he)工艺有关(guan)）。如(ru)果(guo)在工作中，有一(yi)(yi)个或几个小(xiao)(xiao)管短(duan)路，则整个mos表现为(wei)短(duan)路，当然大(da)电流短(duan)路mos可能直接烧断了(le)（有时表现为(wei)金(jin)属板和(he)黑色塑(su)封(feng)间开裂），又表现为(wei)开路。大(da)家可能会想这(zhei)上(shang)(shang)千万个小(xiao)(xiao)mos应该很容(rong)易(yi)出现一(yi)(yi)个或几个坏的(de)吧(ba)，其(qi)(qi)实真没(mei)那么(me)容(rong)易(yi)，目(mu)前的(de)制(zhi)造工艺基本保证了(le)这(zhei)些小(xiao)(xiao)单位各(ge)种参数高度一(yi)(yi)致性。
它们的(de)(de)各(ge)种开关(guan)动作几乎完全一(yi)致，当然(ran)最终烧坏时(shi)，肯定有先(xian)承受不了(le)的(de)(de)小管先(xian)坏。所以管子的(de)(de)稳定性和制造(zao)工(gong)艺(yi)密不可分，差的(de)(de)工(gong)艺(yi)可能导致这些小管的(de)(de)参(can)数不那么一(yi)致。有时(shi)一(yi)点小的(de)(de)工(gong)艺(yi)缺陷（比如一(yi)个(ge)(ge)1um甚至更小的(de)(de)颗(ke)粒如果在关(guan)键位置）往往会造(zao)成整个(ge)(ge)芯片（缺陷所在的(de)(de)管芯）报(bao)废。
联系方式：邹先(xian)生(sheng)
联系(xi)电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系(xi)地(di)址：深(shen)圳市福田区(qu)车(che)公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜(sou)微信公(gong)众号:“KIA半导体”或扫(sao)一扫(sao)下图“关注”官方微信公(gong)众号
请“关(guan)注”官(guan)方微(wei)信公众号:提供 MOS管 技术帮助
