cmos在电路(lu)中容易形成集成化(hua) 它是(shi)有什么特点 是(shi)否会(hui)受到影响
信(xin)息来源：本站(zhan) 日(ri)期：2017-09-05
容易(yi)集成化
TTL等(deng)双(shuang)极器件中，如(ru)图(tu)10. 15所示，相邻的晶体管(guan)之间需求(qiu)隔离，而且(qie)要提高电流驱动型器件的集成度，就很难抑(yi)止功(gong)率耗费和(he)发热现象。
CMOS中，由(you)于(yu)闩锁(suo)现象(xiang)／可控硅现象(xiang)的缘由(you)，需求思索(suo)设置恰当的别离(li)寄生双(shuang)极晶(jing)体管(guan)的称为防(fang)护带（图10. 16）的别离(li)墙／过(guo)(guo)渡电流(liu)吸收带。不(bu)过(guo)(guo)对集(ji)(ji)成度的影响(xiang)不(bu)大(da)。最近，还开发出不(bu)需求防(fang)护带的制造技术。而且，由(you)于(yu)CMOS的低功耗特性，在发热问题上比双(shuang)极器件优越，也有(you)利(li)于(yu)集(ji)(ji)成化。
把(ba)单位面积(mm2)上(shang)集成的(de)晶(jing)体管(guan)数目叫做集成度。目前集成度超越了1000万个MOS晶(jing)体管(guan)的(de)系统LSI曾经(jing)在数字(zi)设备中采用。
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