MOS管G极串联小电阻的作用及MOS管极的测试步骤

在(zai)电(dian)源电(dian)路(lu)中，功(gong)率MOS管的G极经常(chang)会串联一个小电(dian)阻，几欧(ou)姆到(dao)几十(shi)欧(ou)姆不(bu)等(deng)，那么这个电(dian)阻用什么作用呢？

如上(shang)图开(kai)关电(dian)(dian)源，G串(chuan)联电(dian)(dian)阻R13。这个(ge)电(dian)(dian)阻的作(zuo)用有(you)2个(ge)作(zuo)用：限制(zhi)G极电(dian)(dian)流，抑制(zhi)振荡。

限制G极电流

MOS管(guan)(guan)是(shi)(shi)由电(dian)压驱动的(de)，是(shi)(shi)以G级电(dian)流很小，但是(shi)(shi)因(yin)为寄生电(dian)容的(de)存在，在MOS管(guan)(guan)打开或关(guan)闭的(de)时候(hou)，因(yin)为要(yao)对电(dian)容进(jin)行充(chong)电(dian)，所有瞬间电(dian)流还是(shi)(shi)比较大(da)的(de)。特别是(shi)(shi)在开关(guan)电(dian)源中，MOS管(guan)(guan)频繁的(de)开启和(he)关(guan)闭，那么(me)就要(yao)更要(yao)考虑(lv)这(zhei)个带来的(de)影响(xiang)了(le)。

如(ru)上图，MOS管的(de)寄生电容有三个(ge)，Cgs，Cgd，Cds

一般在MOS管规格书中(zhong)，一般会标(biao)下面三(san)个参数：Ciss，Coss，Crss，他们与寄(ji)生电容的关系如下：

Ciss=Cgs+Cgd

Coss=Cds+Cgd

Crss=Cgd

如(ru)以MOS管FDS2582为(wei)例：

Ciss=1290pF，可以看到，这个寄生电容是很可观的。

简单估算一下，假(jia)设Vgs=10V，dt=Tr(上升(sheng)时(shi)间)=20ns ，Ciss=1290pF，那么(me)可得G极在开关时(shi)的瞬间电流I=Ciss*dVgs/dt =0.6A。

在基极串联一个(ge)电(dian)阻，与Ciss形成一个(ge)RC充放(fang)电(dian)电(dian)路，可以(yi)减小瞬间电(dian)流值(zhi)，不至于损毁MOS管的驱(qu)动芯片。

因(yin)为增加(jia)的(de)这个电(dian)(dian)阻，会减缓MOS管的(de)开(kai)启与通断时间，增加(jia)损耗，所以不能接太大。这也是(shi)为什么电(dian)(dian)阻是(shi)几(ji)欧姆或者几(ji)十欧姆的(de)原因(yin)所在(zai)。

抑(yi)制振(zhen)荡

MOS管(guan)接入电(dian)路，也会(hui)有引线产(chan)生(sheng)的(de)(de)寄生(sheng)电(dian)感的(de)(de)存在(zai)，与(yu)寄生(sheng)电(dian)容一(yi)起，形成(cheng)LC振(zhen)荡电(dian)路。对于(yu)开关方波波形，是(shi)有很(hen)多频率成(cheng)分存在(zai)的(de)(de)，那么(me)很(hen)可能与(yu)谐(xie)振(zhen)频率相同或者相近，形成(cheng)串(chuan)联谐(xie)振(zhen)电(dian)路。串(chuan)联一(yi)个电(dian)阻，可以减小振(zhen)荡电(dian)路的(de)(de)Q值，是(shi)振(zhen)荡快速衰减，不至于(yu)引起电(dian)路故(gu)障。

MOS管G极、S极、D极测试步骤

测试(shi)步骤(zhou)：

MOS管的检测(ce)主要(yao)是判断(duan)MOS管漏电(dian)、短路、断(duan)路、放大(da)。

其步(bu)骤如下：

假如有阻值没被(bei)测MOS管(guan)有漏电现象。

1、把连接栅(zha)极和源极的电阻(zu)移开(kai)，万(wan)用表红黑笔不(bu)变(bian)，假如移开(kai)电阻(zu)后表针慢(man)慢(man)逐步退(tui)回到高(gao)阻(zu)或无限大，则MOS管漏电，不(bu)变(bian)则完(wan)好。

2、然后一(yi)根导(dao)线(xian)把MOS管的栅极(ji)和源极(ji)连接起来(lai)，假如指针立刻返回(hui)无限大，则MOS完好。

3、把红笔接(jie)到MOS的(de)(de)源极S上，黑笔接(jie)到MOS管的(de)(de)漏极上，好的(de)(de)表针指(zhi)示应该是(shi)无(wu)限大。

4、用一只100KΩ－200KΩ的(de)(de)(de)电(dian)(dian)阻连在栅极(ji)(ji)和漏(lou)极(ji)(ji)上(shang)，然后把红笔接(jie)到(dao)(dao)MOS的(de)(de)(de)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)S上(shang)，黑笔接(jie)到(dao)(dao)MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)漏(lou)极(ji)(ji)上(shang)，这时表(biao)针(zhen)指(zhi)示的(de)(de)(de)值一般是(shi)0，这时是(shi)下电(dian)(dian)荷通(tong)过这个电(dian)(dian)阻对MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)栅极(ji)(ji)充电(dian)(dian)，产生栅极(ji)(ji)电(dian)(dian)场(chang)，因为电(dian)(dian)场(chang)产生导(dao)致导(dao)电(dian)(dian)沟(gou)道(dao)致使(shi)漏(lou)极(ji)(ji)和源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)导(dao)通(tong)，故万用表(biao)指(zhi)针(zhen)偏(pian)转，偏(pian)转的(de)(de)(de)角(jiao)度大(da)，放电(dian)(dian)性越好。

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