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快恢复(fu)二极(ji)管（简称FRD）是一种具有(you)开关(guan)特(te)性好(hao)、反向恢复(fu)时间短特(te)点的半导体二极(ji)管，主(zhu)要应用(yong)于开关(guan)电源、PWM脉宽(kuan)调制器、变频器等电子(zi)电路(lu)中(zhong)，作(zuo)为(wei)高频整(zheng)流(liu)二极(ji)管、续流(liu)二极(ji)管或阻尼二极(ji)管使用(yong)。

快恢(hui)(hui)复(fu)(fu)(fu)二极管的内部结构与普通(tong)PN结二极管不(bu)同(tong)，它(ta)属于PIN结型(xing)二极管，即在P型(xing)硅材料(liao)与N型(xing)硅材料(liao)中(zhong)间增(zeng)加了基区I，构成PIN硅片。因(yin)基区很(hen)薄，反(fan)向(xiang)恢(hui)(hui)复(fu)(fu)(fu)电(dian)荷很(hen)小(xiao)，所以快恢(hui)(hui)复(fu)(fu)(fu)二极管的反(fan)向(xiang)恢(hui)(hui)复(fu)(fu)(fu)时间较(jiao)(jiao)短，正向(xiang)压降(jiang)较(jiao)(jiao)低，反(fan)向(xiang)击穿电(dian)压（耐压值）较(jiao)(jiao)高。

通常，5~20A的快(kuai)恢(hui)复二(er)极(ji)管管采用(yong)TO–220FP塑(su)料封(feng)装(zhuang)，20A以(yi)上的大功(gong)率快(kuai)恢(hui)复二(er)极(ji)管采用(yong)顶(ding)部带(dai)金(jin)属散热片的TO–3P塑(su)料封(feng)装(zhuang)，5A以(yi)下的快(kuai)恢(hui)复二(er)极(ji)管则采用(yong)DO–41、DO–15或(huo)DO–27等规格塑(su)料封(feng)装(zhuang)。

采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极(ji)管(guan)，有(you)单(dan)管(guan)和(he)双(shuang)管(guan)之分。双(shuang)管(guan)的管(guan)脚引出方式又分为共(gong)阳(yang)和(he)共(gong)阴(yin)。

1．性能特点(dian)

1）反(fan)向恢复时间(jian)

反向(xiang)(xiang)恢复(fu)(fu)时间(jian)tr的(de)定义是(shi)(shi)：电(dian)(dian)流(liu)通(tong)过(guo)零点由正(zheng)(zheng)向(xiang)(xiang)转换(huan)到(dao)(dao)(dao)规(gui)定低值的(de)时间(jian)间(jian)隔。它是(shi)(shi)衡(heng)量高频(pin)续流(liu)及整(zheng)流(liu)器(qi)件性能的(de)重要技术指标。反向(xiang)(xiang)恢复(fu)(fu)电(dian)(dian)流(liu)的(de)波形如图(tu)1所(suo)示。IF为正(zheng)(zheng)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)流(liu)，IRM为最大(da)反向(xiang)(xiang)恢复(fu)(fu)电(dian)(dian)流(liu)。Irr为反向(xiang)(xiang)恢复(fu)(fu)电(dian)(dian)流(liu)，通(tong)常(chang)规(gui)定Irr=0.1IRM。当(dang)(dang)t≤t0时，正(zheng)(zheng)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)流(liu)I=IF。当(dang)(dang)t＞t0时，由于(yu)整(zheng)流(liu)器(qi)件上的(de)正(zheng)(zheng)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)压突然变成反向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)压，因(yin)此正(zheng)(zheng)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)流(liu)迅速(su)降(jiang)低，在t=t1时刻(ke)，I=0。然后整(zheng)流(liu)器(qi)件上流(liu)过(guo)反向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)流(liu)IR，并且IR逐(zhu)渐(jian)增大(da)；在t=t2时刻(ke)达到(dao)(dao)(dao)最大(da)反向(xiang)(xiang)恢复(fu)(fu)电(dian)(dian)流(liu)IRM值。此后受正(zheng)(zheng)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)压的(de)作用，反向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)流(liu)逐(zhu)渐(jian)减小，并在t=t3时刻(ke)达到(dao)(dao)(dao)规(gui)定值Irr。从t2到(dao)(dao)(dao)t3的(de)反向(xiang)(xiang)恢复(fu)(fu)过(guo)程(cheng)与(yu)电(dian)(dian)容器(qi)放电(dian)(dian)过(guo)程(cheng)有相似之处。

2）快恢(hui)(hui)复、超快恢(hui)(hui)复二极(ji)管的结构特点(dian) 

快(kuai)恢复(fu)二极管(guan)的内部结构与普通二极管(guan)不同(tong)，它是在P型(xing)、N型(xing)硅材料中(zhong)间增加了基(ji)区I，构成P-I-N硅片(pian)。由于(yu)基(ji)区很薄，反向(xiang)(xiang)恢复(fu)电(dian)荷很小(xiao)(xiao)，不仅(jin)大大减(jian)小(xiao)(xiao)了trr值(zhi)，还降低了瞬态正(zheng)向(xiang)(xiang)压(ya)(ya)降，使管(guan)子能承受(shou)很高的反向(xiang)(xiang)工(gong)作电(dian)压(ya)(ya)。快(kuai)恢复(fu)二极管(guan)的反向(xiang)(xiang)恢复(fu)时间一般为几(ji)(ji)百(bai)纳(na)(na)秒，正(zheng)向(xiang)(xiang)压(ya)(ya)降约为0.6V，正(zheng)向(xiang)(xiang)电(dian)流是几(ji)(ji)安(an)培(pei)至几(ji)(ji)千安(an)培(pei)，反向(xiang)(xiang)峰值(zhi)电(dian)压(ya)(ya)可达几(ji)(ji)百(bai)到几(ji)(ji)千伏。超(chao)快(kuai)恢复(fu)二极管(guan)的反向(xiang)(xiang)恢复(fu)电(dian)荷进一步(bu)减(jian)小(xiao)(xiao)，使其trr可低至几(ji)(ji)十纳(na)(na)秒。

20A以(yi)下的(de)(de)快恢(hui)复(fu)(fu)(fu)及超(chao)快恢(hui)复(fu)(fu)(fu)二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)大多采用TO-220封装形(xing)式。从(cong)内部(bu)结(jie)构(gou)看，可分(fen)成单管(guan)(guan)(guan)(guan)、对管(guan)(guan)(guan)(guan)（亦称(cheng)双管(guan)(guan)(guan)(guan)）两种。对管(guan)(guan)(guan)(guan)内部(bu)包含两只(zhi)快恢(hui)复(fu)(fu)(fu)二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)，根据两只(zhi)二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)接法的(de)(de)不同，又有共阴(yin)对管(guan)(guan)(guan)(guan)、共阳对管(guan)(guan)(guan)(guan)之分(fen)。图(tu)2(a)是C20-04型快恢(hui)复(fu)(fu)(fu)二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)（单管(guan)(guan)(guan)(guan)）的(de)(de)外(wai)形(xing)及内部(bu)结(jie)构(gou)。(b)图(tu)和(c)图(tu)分(fen)别是C92-02型（共阴(yin)对管(guan)(guan)(guan)(guan)）、MUR1680A型（共阳对管(guan)(guan)(guan)(guan)）超(chao)快恢(hui)复(fu)(fu)(fu)二(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)外(wai)形(xing)与构(gou)造。它(ta)们均采用TO-220塑料封装，

几(ji)十安(an)的快恢(hui)复(fu)二极管(guan)一般采用(yong)TO-3P金属(shu)壳(qiao)封装。更大容量（几(ji)百安(an)～几(ji)千安(an)）的管(guan)子(zi)则采用(yong)螺栓型或平(ping)板(ban)型封装形式。

2．检测方法

1）测量(liang)反向恢复时间

测量电(dian)路如图3。由(you)直流电(dian)流源供规定的(de)IF，脉冲(chong)发(fa)生器经过(guo)隔直电(dian)容器C加脉冲(chong)信号，利用(yong)电(dian)子示波器观察(cha)到(dao)的(de)trr值，即是从(cong)I=0的(de)时(shi)刻到(dao)IR=Irr时(shi)刻所经历的(de)时(shi)间。设器件(jian)内部的(de)反(fan)向(xiang)恢电(dian)荷(he)为(wei)Qrr，有关系(xi)式：

trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)

由式(shi)(5.3.1)可知，当IRM为一定时，反向(xiang)(xiang)恢(hui)复(fu)(fu)电荷愈(yu)小，反向(xiang)(xiang)恢(hui)复(fu)(fu)时间(jian)就愈(yu)短。

2）常规检测方法

在业(ye)余(yu)条(tiao)件下，利用(yong)(yong)万用(yong)(yong)表能检测(ce)快(kuai)恢(hui)复、超快(kuai)恢(hui)复二(er)极管(guan)(guan)的(de)单向导(dao)电(dian)性(xing)，以及内部有无(wu)开路、短路故(gu)障，并(bing)能测(ce)出正(zheng)向导(dao)通压降。若配(pei)以兆(zhao)欧表，还(hai)能测(ce)量反向击穿电(dian)压。实例(li)：测(ce)量一(yi)只C90-02超快(kuai)恢(hui)复二(er)极管(guan)(guan)，其主要参数(shu)为：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同图(a)。将500型万用(yong)(yong)表拨至R×1档，读出正(zheng)向电(dian)阻(zu)为6.4Ω，n′=19.5格；反向电(dian)阻(zu)则为无(wu)穷大。进(jin)一(yi)步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证(zheng)明管(guan)(guan)子是好的(de)。

注意事项：

1）有些单管(guan)，共三个引脚，中间的(de)为空脚，一般(ban)在出厂(chang)时(shi)剪掉(diao)，但(dan)也有不剪的(de)。 

2）若对管中有一(yi)只管子损坏，则可(ke)作为单管使用。

3）测(ce)正(zheng)(zheng)向导通压降(jiang)时，必须使用(yong)R×1档。若(ruo)用(yong)R×1k档，因测(ce)试电(dian)流太小(xiao)，远低(di)于(yu)管子的正(zheng)(zheng)常工作电(dian)流，故测(ce)出的VF值(zhi)将明显偏低(di)。在上面例子中，如(ru)果选择R×1k档测(ce)量，正(zheng)(zheng)向电(dian)阻就等(deng)于(yu)2.2kΩ，此(ci)时n′=9格(ge)。由此(ci)计(ji)算出的VF值(zhi)仅0.27V，远低(di)于(yu)正(zheng)(zheng)常值(zhi)(0.6V)。

肖特基二(er)极(ji)管和快恢复二(er)极(ji)管又(you)什(shen)么区别 

快(kuai)恢复二(er)极管是指反(fan)向恢复时(shi)间很(hen)短的二(er)极管（5us以(yi)下），工(gong)艺上多(duo)采(cai)用掺金措施，结(jie)(jie)构上有(you)(you)采(cai)用PN结(jie)(jie)型(xing)结(jie)(jie)构，有(you)(you)的采(cai)用改进的PIN结(jie)(jie)构。其(qi)正向压降高于普(pu)通二(er)极管（1-2V），反(fan)向耐压多(duo)在1200V以(yi)下。从性(xing)能上可分为快(kuai)恢复和(he)超快(kuai)恢复两个等(deng)级。前者反(fan)向恢复时(shi)间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以(yi)下。

肖(xiao)(xiao)特基二极管(guan)是(shi)以金(jin)属和半导体接(jie)触形成(cheng)的(de)势垒(lei)为基础的(de)二极管(guan)，简称肖(xiao)(xiao)特基二极管(guan)(Schottky Barrier Diode），具有正向压(ya)降低（0.4--0.5V）、反(fan)向恢复(fu)时间很短（10-40纳秒），而且反(fan)向漏电(dian)流较(jiao)大，耐压(ya)低，一般(ban)低于(yu)150V，多用于(yu)低电(dian)压(ya)场合。

这两种管子通(tong)常用(yong)于开关电(dian)源。

肖特基二极管(guan)和快恢复(fu)二极管(guan)区别：前者(zhe)的恢复(fu)时间比后者(zhe)小一百倍(bei)左右，前者(zhe)的反(fan)向(xiang)恢复(fu)时间大约为几纳(na)秒(miao)~！

 前者的(de)优(you)点(dian)还(hai)有低功耗，大电流，超高(gao)速~！电气特性当然都是二极管阿~！

快恢复(fu)(fu)二(er)极管在制造工艺上采用掺金(jin),单(dan)纯(chun)的扩散等工艺,可获得(de)(de)较(jiao)高的开(kai)关速度,同时(shi)也能得(de)(de)到较(jiao)高的耐压(ya).目(mu)前快恢复(fu)(fu)二(er)极管主要(yao)应用在逆变电(dian)源中做整流元件。