一、用(yong)指针式万用(yong)表对场效应管进行判(pan)别

（1）用测电阻法判别(bie)结型(xing)场效应管(guan)的(de)电极

依据场效(xiao)(xiao)应管的(de)(de)(de)PN结(jie)正(zheng)(zheng)、反向电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)不一(yi)(yi)样(yang)的(de)(de)(de)现(xian)(xian)象，能(neng)(neng)够判别出(chu)(chu)结(jie)型场效(xiao)(xiao)应管的(de)(de)(de)三个(ge)(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)。详细办法(fa)：将万用表(biao)(biao)拨(bo)在(zai)R×1k档上，任选两(liang)(liang)个(ge)(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)，分别测(ce)出(chu)(chu)其(qi)(qi)正(zheng)(zheng)、反向电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)。当(dang)某两(liang)(liang)个(ge)(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)的(de)(de)(de)正(zheng)(zheng)、反向电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)相等，且为几(ji)千欧姆(mu)时，则该两(liang)(liang)个(ge)(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)分别是(shi)(shi)(shi)漏极(ji)D和源(yuan)(yuan)极(ji)S。由于对结(jie)型场效(xiao)(xiao)应管而言，漏极(ji)和源(yuan)(yuan)极(ji)可互换，剩下的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)极(ji)肯(ken)定(ding)是(shi)(shi)(shi)栅(zha)极(ji)Ｇ。也(ye)能(neng)(neng)够将万用表(biao)(biao)的(de)(de)(de)黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)（红表(biao)(biao)笔(bi)也(ye)行）任意接触(chu)(chu)一(yi)(yi)个(ge)(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)，另一(yi)(yi)只表(biao)(biao)笔(bi)依次(ci)(ci)去接触(chu)(chu)其(qi)(qi)他的(de)(de)(de)两(liang)(liang)个(ge)(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)，测(ce)其(qi)(qi)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)。当(dang)呈现(xian)(xian)两(liang)(liang)次(ci)(ci)测(ce)得的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)近似(si)相等时，则黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)所接触(chu)(chu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)极(ji)为栅(zha)极(ji)，其(qi)(qi)他两(liang)(liang)电(dian)(dian)(dian)极(ji)分别为漏极(ji)和源(yuan)(yuan)极(ji)。若两(liang)(liang)次(ci)(ci)测(ce)出(chu)(chu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)均很大，阐明(ming)是(shi)(shi)(shi)ＰＮ结(jie)的(de)(de)(de)反向，即都是(shi)(shi)(shi)反向电(dian)(dian)(dian)阻(zu)，能(neng)(neng)够断定(ding)是(shi)(shi)(shi)Ｎ沟(gou)道场效(xiao)(xiao)应管，且黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)接的(de)(de)(de)是(shi)(shi)(shi)栅(zha)极(ji)；若两(liang)(liang)次(ci)(ci)测(ce)出(chu)(chu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)均很小，阐明(ming)是(shi)(shi)(shi)正(zheng)(zheng)向ＰＮ结(jie)，即是(shi)(shi)(shi)正(zheng)(zheng)向电(dian)(dian)(dian)阻(zu)，断定(ding)为Ｐ沟(gou)道场效(xiao)(xiao)应管，黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)接的(de)(de)(de)也(ye)是(shi)(shi)(shi)栅(zha)极(ji)。若不呈现(xian)(xian)上述状况(kuang)，能(neng)(neng)够互换黑(hei)、红表(biao)(biao)笔(bi)按上述办法(fa)停止测(ce)试，直(zhi)到判别出(chu)(chu)栅(zha)极(ji)为止。

（2）用(yong)测(ce)电阻法判(pan)别场效应管的(de)好坏

测(ce)(ce)电(dian)阻(zu)法是(shi)(shi)(shi)用(yong)万用(yong)表(biao)测(ce)(ce)量(liang)场效应管的(de)(de)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)漏极(ji)(ji)(ji)、栅(zha)极(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)、栅(zha)极(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)漏极(ji)(ji)(ji)、栅(zha)极(ji)(ji)(ji)Ｇ1与(yu)(yu)(yu)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)Ｇ2之间(jian)(jian)的(de)(de)电(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)同场效应管手册标明(ming)的(de)(de)电(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)能(neng)(neng)否相(xiang)符去判别管的(de)(de)好坏。详细(xi)办(ban)法：首先将万用(yong)表(biao)置于(yu)(yu)Ｒ×10或Ｒ×100档(dang)(dang)，丈量(liang)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)Ｓ与(yu)(yu)(yu)漏极(ji)(ji)(ji)Ｄ之间(jian)(jian)的(de)(de)电(dian)阻(zu)，通常在(zai)几(ji)十欧到(dao)几(ji)千欧范围(wei)（在(zai)手册中可(ke)知，各(ge)种不同型号(hao)的(de)(de)管，其电(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)是(shi)(shi)(shi)各(ge)不相(xiang)同的(de)(de)），假如测(ce)(ce)得(de)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)大(da)于(yu)(yu)正常值(zhi)(zhi)(zhi)，可(ke)能(neng)(neng)是(shi)(shi)(shi)由于(yu)(yu)内(nei)部接(jie)触不良；假如测(ce)(ce)得(de)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)是(shi)(shi)(shi)无(wu)量(liang)大(da)，可(ke)能(neng)(neng)是(shi)(shi)(shi)内(nei)部断极(ji)(ji)(ji)。然(ran)后把万用(yong)表(biao)置于(yu)(yu)Ｒ×１０ｋ档(dang)(dang)，再测(ce)(ce)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)Ｇ1与(yu)(yu)(yu)Ｇ2之间(jian)(jian)、栅(zha)极(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)、栅(zha)极(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)漏极(ji)(ji)(ji)之间(jian)(jian)的(de)(de)电(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)，当测(ce)(ce)得(de)其各(ge)项电(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)均(jun)为无(wu)量(liang)大(da)，则阐(chan)明(ming)管是(shi)(shi)(shi)正常的(de)(de)；若测(ce)(ce)得(de)上述各(ge)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)太小或为通路(lu)，则阐(chan)明(ming)管是(shi)(shi)(shi)坏的(de)(de)。要(yao)留意(yi)，若两个栅(zha)极(ji)(ji)(ji)在(zai)管内(nei)断极(ji)(ji)(ji)，可(ke)用(yong)元件代换法进行检测(ce)(ce)。

（3）用感应(ying)(ying)信号输人法估测(ce)场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管的(de)放大能力(li)

详(xiang)细办法：用(yong)万用(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)R×100档，红表(biao)(biao)(biao)(biao)笔接(jie)源(yuan)极(ji)(ji)Ｓ，黑表(biao)(biao)(biao)(biao)笔接(jie)漏极(ji)(ji)Ｄ，给场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)加上1。5Ｖ的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)，此时表(biao)(biao)(biao)(biao)针指示出的(de)(de)漏源(yuan)极(ji)(ji)间的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)值。然(ran)后用(yong)手捏(nie)住结(jie)型场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)栅极(ji)(ji)Ｇ，将人体的(de)(de)感应(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)信号加到栅极(ji)(ji)上。这样(yang)，由于(yu)管(guan)(guan)的(de)(de)放大(da)作(zuo)用(yong)，漏源(yuan)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)VDS和漏极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)流Iｂ都要发作(zuo)变化(hua)，也就是漏源(yuan)极(ji)(ji)间电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)发作(zuo)了变化(hua)，由此能(neng)(neng)够察看到表(biao)(biao)(biao)(biao)针有较(jiao)(jiao)大(da)幅(fu)度的(de)(de)摆(bai)动。假如(ru)手捏(nie)栅极(ji)(ji)表(biao)(biao)(biao)(biao)针摆(bai)动较(jiao)(jiao)小(xiao)，阐明管(guan)(guan)的(de)(de)放大(da)才(cai)能(neng)(neng)较(jiao)(jiao)差；表(biao)(biao)(biao)(biao)针摆(bai)动较(jiao)(jiao)大(da)，标明管(guan)(guan)的(de)(de)放大(da)才(cai)能(neng)(neng)大(da)；若表(biao)(biao)(biao)(biao)针不动，阐明管(guan)(guan)是坏的(de)(de)。
依据上述(shu)办法，我们用(yong)(yong)万(wan)用(yong)(yong)表的(de)(de)R×100档(dang)，测结型场效应管(guan)3DJ2F。先将管(guan)的(de)(de)Ｇ极(ji)开路，测得漏源(yuan)电阻RDS为(wei)600Ω，用(yong)(yong)手捏(nie)住Ｇ极(ji)后，表针(zhen)向左摆(bai)动，指示的(de)(de)电阻RDS为(wei)12kΩ，表针(zhen)摆(bai)动的(de)(de)幅度较(jiao)大(da)(da)(da)，阐明该管(guan)是好的(de)(de)，并有(you)较(jiao)大(da)(da)(da)的(de)(de)放大(da)(da)(da)才(cai)能。

运用(yong)这种办(ban)(ban)法(fa)时要(yao)阐明几(ji)点：首先，在测试场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)用(yong)手捏住栅(zha)极(ji)(ji)时，万(wan)用(yong)表针(zhen)(zhen)可能(neng)向(xiang)右摆(bai)动（电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值减(jian)小），也(ye)可能(neng)向(xiang)左摆(bai)动（电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值增加）。这是由于人(ren)体感(gan)(gan)应(ying)(ying)(ying)的(de)(de)交(jiao)流电(dian)(dian)(dian)压较(jiao)高，而不(bu)同(tong)的(de)(de)场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)用(yong)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)档(dang)丈量(liang)时的(de)(de)工(gong)作点可能(neng)不(bu)同(tong)（或者(zhe)工(gong)作在饱(bao)和区或者(zhe)在不(bu)饱(bao)和区）所致，实验标明，多数(shu)(shu)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)RDS增大，即(ji)表针(zhen)(zhen)向(xiang)左摆(bai)动；少数(shu)(shu)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)RDS减(jian)小，使表针(zhen)(zhen)向(xiang)右摆(bai)动。但(dan)无(wu)论表针(zhen)(zhen)摆(bai)动方向(xiang)如何，只需表针(zhen)(zhen)摆(bai)动幅(fu)度较(jiao)大，就阐明管(guan)(guan)(guan)(guan)有较(jiao)大的(de)(de)放大才(cai)能(neng)。第二(er)，此(ci)办(ban)(ban)法(fa)对MOS场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)也(ye)适(shi)用(yong)。但(dan)要(yao)留(liu)意，MOS场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)输人(ren)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)高，栅(zha)极(ji)(ji)Ｇ允许(xu)的(de)(de)感(gan)(gan)应(ying)(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)压不(bu)应(ying)(ying)(ying)过高，所以不(bu)要(yao)直接用(yong)手去(qu)捏栅(zha)极(ji)(ji)，必需用(yong)于握(wo)螺丝刀的(de)(de)绝(jue)缘柄，用(yong)金属杆去(qu)碰触栅(zha)极(ji)(ji)，以避(bi)免人(ren)体感(gan)(gan)应(ying)(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)荷(he)直接加到栅(zha)极(ji)(ji)，引起(qi)栅(zha)极(ji)(ji)击穿。第三(san)，每(mei)次测量(liang)完毕，应(ying)(ying)(ying)当G-S极(ji)(ji)间短路(lu)一下。这是由于G-S结电(dian)(dian)(dian)容上(shang)会充(chong)有少量(liang)电(dian)(dian)(dian)荷(he)，树立(li)起(qi)VGS电(dian)(dian)(dian)压，形成再停(ting)止测量(liang)时表针(zhen)(zhen)可能(neng)不(bu)动，只要(yao)将G-S极(ji)(ji)间电(dian)(dian)(dian)荷(he)短路(lu)放掉才(cai)行。

（4）用测电(dian)阻法判别(bie)无标志的(de)场效应(ying)管(guan)

首先用(yong)测(ce)量(liang)(liang)电(dian)(dian)阻的(de)办法(fa)找出两(liang)(liang)个有电(dian)(dian)阻值(zhi)的(de)管脚，也(ye)就(jiu)(jiu)是(shi)(shi)源(yuan)极(ji)(ji)Ｓ和漏极(ji)(ji)Ｄ，余下(xia)两(liang)(liang)个脚为(wei)第一栅(zha)(zha)极(ji)(ji)G1和第二栅(zha)(zha)极(ji)(ji)G2。把先用(yong)两(liang)(liang)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)(bi)测(ce)的(de)源(yuan)极(ji)(ji)Ｓ与漏极(ji)(ji)Ｄ之(zhi)间的(de)电(dian)(dian)阻值(zhi)记下(xia)来，对(dui)调表(biao)(biao)笔(bi)(bi)(bi)再测(ce)量(liang)(liang)一次，把其测(ce)得电(dian)(dian)阻值(zhi)记下(xia)来，两(liang)(liang)次测(ce)得阻值(zhi)较大(da)(da)的(de)一次，黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)(bi)所(suo)接(jie)的(de)电(dian)(dian)极(ji)(ji)为(wei)漏极(ji)(ji)Ｄ；红表(biao)(biao)笔(bi)(bi)(bi)所(suo)接(jie)的(de)为(wei)源(yuan)极(ji)(ji)Ｓ。用(yong)这(zhei)种办法(fa)判(pan)别出来的(de)Ｓ、Ｄ极(ji)(ji)，还能(neng)(neng)够(gou)用(yong)估测(ce)其管的(de)放大(da)(da)才能(neng)(neng)的(de)办法(fa)停止考(kao)证，即放大(da)(da)才能(neng)(neng)大(da)(da)的(de)黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)(bi)所(suo)接(jie)的(de)是(shi)(shi)Ｄ极(ji)(ji)；红表(biao)(biao)笔(bi)(bi)(bi)所(suo)接(jie)地是(shi)(shi)８极(ji)(ji)，两(liang)(liang)种办法(fa)检测(ce)结果均应一样。当肯(ken)定了(le)漏极(ji)(ji)Ｄ、源(yuan)极(ji)(ji)Ｓ的(de)位(wei)置(zhi)(zhi)后，按(an)Ｄ、Ｓ的(de)对(dui)应位(wei)置(zhi)(zhi)装人电(dian)(dian)路(lu)，普(pu)通G1、G2也(ye)会依(yi)次对(dui)准位(wei)置(zhi)(zhi)，这(zhei)就(jiu)(jiu)肯(ken)定了(le)两(liang)(liang)个栅(zha)(zha)极(ji)(ji)G1、G2的(de)位(wei)置(zhi)(zhi)，从(cong)而就(jiu)(jiu)肯(ken)定了(le)Ｄ、S、G1、G2管脚的(de)顺序(xu)。

（5）用测反向电阻(zu)值(zhi)的变化判别跨导(dao)的大小
对VMOS N沟道加强型场效应管(guan)(guan)(guan)丈量跨导性能时(shi)，可用(yong)红表(biao)笔(bi)接(jie)源(yuan)极(ji)(ji)Ｓ、黑(hei)表(biao)笔(bi)接(jie)漏极(ji)(ji)Ｄ，这就(jiu)相当于在源(yuan)、漏极(ji)(ji)之间加了一个(ge)反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)压(ya)。此(ci)时(shi)栅极(ji)(ji)是(shi)开路的(de)(de)，管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)阻值(zhi)(zhi)是(shi)很不(bu)稳定的(de)(de)。将万用(yong)表(biao)的(de)(de)欧姆(mu)档(dang)选(xuan)在R×10kΩ的(de)(de)高阻档(dang)，此(ci)时(shi)表(biao)内电(dian)压(ya)较高。当用(yong)手接(jie)触栅极(ji)(ji)Ｇ时(shi)，会发(fa)现管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)阻值(zhi)(zhi)有明显地变化，其变化越(yue)大(da)，阐明管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)跨导值(zhi)(zhi)越(yue)高；假如被测管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)跨导很小，用(yong)此(ci)法测时(shi)，反(fan)向(xiang)(xiang)阻值(zhi)(zhi)变化不(bu)大(da)。

二、场效应(ying)管的(de)运用注(zhu)意事项

（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中(zhong)不能超(chao)越管的耗散(san)功率，最大漏(lou)源(yuan)(yuan)电(dian)压(ya)、最大栅源(yuan)(yuan)电(dian)压(ya)和(he)最大电(dian)流等参数的极限值。


（2）各类(lei)型(xing)场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)在(zai)运(yun)用时，都要严格按请求(qiu)的偏置接人电路中，要恪守场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)偏置的极(ji)性。如结(jie)型(xing)场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)栅(zha)源漏(lou)之间(jian)是(shi)ＰＮ结(jie)，Ｎ沟(gou)道(dao)管(guan)栅(zha)极(ji)不能加(jia)正偏压；Ｐ沟(gou)道(dao)管(guan)栅(zha)极(ji)不能加(jia)负偏压，等等。

（3）MOS场效(xiao)应(ying)管(guan)由于输人阻抗极高，所以在(zai)运输、贮(zhu)藏中必需将(jiang)引出脚短路，要(yao)用金属(shu)屏蔽包(bao)装，以避免外来感应(ying)电势(shi)将(jiang)栅极击穿。特别要(yao)留意(yi)，不(bu)能将(jiang)MOS场效(xiao)应(ying)管(guan)放人塑料盒(he)子(zi)内，保(bao)管(guan)时最好放在(zai)金属(shu)盒(he)内，同时也要(yao)注意(yi)管(guan)的防(fang)潮(chao)。

（4）为(wei)了避免场效应(ying)管(guan)栅极(ji)感应(ying)击(ji)穿(chuan)，请求一(yi)切(qie)测试仪器(qi)、工作台、电(dian)烙(luo)铁、线(xian)路(lu)自身(shen)都(dou)必需(xu)有良好的接(jie)(jie)(jie)地(di)；管(guan)脚(jiao)在(zai)焊接(jie)(jie)(jie)时，先焊源极(ji)；在(zai)连(lian)入电(dian)路(lu)之前(qian)，管(guan)的全部引(yin)线(xian)端坚持(chi)相互短接(jie)(jie)(jie)状(zhuang)态，焊接(jie)(jie)(jie)完后才把短接(jie)(jie)(jie)资料(liao)去掉(diao)；从(cong)元(yuan)器(qi)件(jian)架上(shang)取下管(guan)时，应(ying)以恰当(dang)的方式确保(bao)人体接(jie)(jie)(jie)地(di)如(ru)采(cai)用接(jie)(jie)(jie)地(di)环等；当(dang)然，假(jia)如(ru)能采(cai)用先进(jin)的气热型电(dian)烙(luo)铁，焊接(jie)(jie)(jie)场效应(ying)管(guan)是(shi)比(bi)拟(ni)便当(dang)的，并(bing)且确保(bao)平安；在(zai)未关断电(dian)源时，绝对不(bu)能够把管(guan)插(cha)人电(dian)路(lu)或从(cong)电(dian)路(lu)中(zhong)拔出(chu)。以上(shang)平安措施(shi)在(zai)运用场效应(ying)管(guan)时必需(xu)留意。

（5）在(zai)装置(zhi)场效(xiao)应管(guan)时，留(liu)意(yi)装置(zhi)的位(wei)置(zhi)要(yao)尽量防止(zhi)靠近(jin)发热元(yuan)件；为了防管(guan)件振动，有必(bi)要(yao)将管(guan)壳体紧固起来；管(guan)脚(jiao)引(yin)线在(zai)弯(wan)曲时，应当大(da)于根部尺寸５毫米处停止(zhi)，以(yi)避免弯(wan)断管(guan)脚(jiao)和(he)引(yin)起漏气(qi)等。

关于功率(lv)型场效应管，要有良(liang)好的(de)散热(re)(re)条件。由于功率(lv)型场效应管在高负荷条件下(xia)运(yun)用，必需设计足(zu)够(gou)的(de)散热(re)(re)器，确保(bao)壳体温度不超越额定(ding)值，使器件长期稳定(ding)牢靠地工(gong)作。

总之，确(que)保(bao)场效应管平安运用，要(yao)留意(yi)的事(shi)项(xiang)是多种多样，采取的平安措施(shi)也是各(ge)种各(ge)样，广大的专(zhuan)业技术人(ren)员，特别是广阔的电(dian)子喜好者(zhe)，都(dou)要(yao)依据本人(ren)的实(shi)践状况动身，采取实(shi)在可行(xing)的方(fang)法，安全有效地用好场效应管。

三(san)、VMOS场(chang)效应(ying)管

VMOS场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)（VMOSFET）简称VMOS管(guan)(guan)或(huo)功(gong)(gong)率场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)，其全称为V型槽(cao)MOS场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)。它(ta)是(shi)继MOSFET之后新(xin)开展起来的高(gao)(gao)(gao)效(xiao)、功(gong)(gong)率开关(guan)器件。它(ta)不只(zhi)继承了MOS场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)输入(ru)阻抗高(gao)(gao)(gao)（≥108W）、驱动电(dian)流小（0。1μA左右(you)），还具有耐压(ya)高(gao)(gao)(gao)（最高(gao)(gao)(gao)1200V）、工作电(dian)流大（1。5A～100A）、输出功(gong)(gong)率高(gao)(gao)(gao)（1～250W）、跨导的线性好、开关(guan)速(su)度(du)快等优(you)秀(xiu)特性。正(zheng)是(shi)由于它(ta)将电(dian)子管(guan)(guan)与功(gong)(gong)率晶体管(guan)(guan)之优(you)点(dian)集(ji)于一身，因(yin)而(er)在电(dian)压(ya)放(fang)(fang)大器（电(dian)压(ya)放(fang)(fang)大倍数可达(da)数千倍）、功(gong)(gong)率放(fang)(fang)大器、开关(guan)电(dian)源(yuan)和(he)逆(ni)变器中正(zheng)取得普遍应(ying)用。

VMOS场效应功率管具有极高的(de)输入阻抗(kang)及较大的(de)线性放大区(qu)等优(you)点，特别(bie)是其具有负(fu)的(de)电流(liu)温(wen)度(du)系数，即在栅-源电压不变(bian)的(de)状况(kuang)下，导通(tong)电流(liu)会(hui)随管温(wen)升(sheng)高而减(jian)小，故不存在由于“二次击穿”现(xian)(xian)象所惹起的(de)管子损坏现(xian)(xian)象。因(yin)而，VMOS管的(de)并联得到普遍应用。

众(zhong)所(suo)周知，传统的(de)MOS场(chang)效应管(guan)的(de)栅(zha)极(ji)、源极(ji)和漏(lou)极(ji)大大致处于同一(yi)程(cheng)度(du)面的(de)芯(xin)(xin)片上(shang)，其工作电流(liu)根本上(shang)是(shi)(shi)沿(yan)(yan)程(cheng)度(du)方(fang)向(xiang)活(huo)动(dong)(dong)。VMOS管(guan)则不同，从图1上(shang)能够看出其两(liang)大构造(zao)特性：第一(yi)，金属栅(zha)极(ji)采用V型槽构造(zao)；第二，具有垂(chui)直(zhi)导电性。由(you)(you)于漏(lou)极(ji)是(shi)(shi)从芯(xin)(xin)片的(de)反面引出，所(suo)以ID不是(shi)(shi)沿(yan)(yan)芯(xin)(xin)片程(cheng)度(du)活(huo)动(dong)(dong)，而(er)(er)是(shi)(shi)自重掺杂N+区（源极(ji)S）动(dong)(dong)身，经过(guo)P沟道流(liu)入轻(qing)掺杂N-漂(piao)移区，最后垂(chui)直(zhi)向(xiang)下抵达漏(lou)极(ji)D。电流(liu)方(fang)向(xiang)如图中箭头所(suo)示，由(you)(you)于流(liu)通(tong)截面积增大，所(suo)以能经过(guo)大电流(liu)。由(you)(you)于在栅(zha)极(ji)与芯(xin)(xin)片之间有二氧化硅绝缘层，因而(er)(er)它仍属于绝缘栅(zha)型MOS场(chang)效应管(guan)。

下面引见(jian)检测VMOS管的办法：
1．断(duan)定(ding)栅极G
将万用表(biao)拨至(zhi)R×1k档分别测量量三个管脚(jiao)之间的电(dian)阻(zu)(zu)。若发现某(mou)脚(jiao)与其(qi)字(zi)两脚(jiao)的电(dian)阻(zu)(zu)均(jun)呈(cheng)无量大，并(bing)且交流表(biao)笔(bi)后仍为无量大，则证明此脚(jiao)为G极，由于它和另(ling)外两个管脚(jiao)是绝(jue)缘的。

2．断(duan)定(ding)源极S、漏极D

由图1可见，在源-漏之间有一(yi)个PN结(jie)，因而依据PN结(jie)正、反向电阻(zu)存在差别，可辨认S极与(yu)D极。用交流(liu)表(biao)笔法测两次(ci)电阻(zu)，其中(zhong)电阻(zu)值较低（普通为几千欧至十几千欧）的一(yi)次(ci)为正向电阻(zu)，此时(shi)黑表(biao)笔的是S极，红表(biao)笔接D极。

3．测量漏-源通(tong)态电阻(zu)RDS（on）
将G-S极(ji)短路，选择万用表(biao)的(de)R×1档，黑表(biao)笔接(jie)S极(ji)，红表(biao)笔接(jie)D极(ji)，阻值应为几(ji)欧(ou)至十(shi)几(ji)欧(ou)。

由于测试条件不同，测出的(de)RDS（on）值比手册中给出的(de)典(dian)(dian)型(xing)值要(yao)高一(yi)些。例如用500型(xing)万用表R×1档实测一(yi)只(zhi)IRFPC50型(xing)VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典(dian)(dian)型(xing)值）。

4．检查(cha)跨导

将万用(yong)表置(zhi)于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极(ji)，黑(hei)表笔接D极(ji)，手持螺丝(si)刀(dao)去碰触栅极(ji)，表针(zhen)应有明(ming)显偏转(zhuan)，偏转(zhuan)愈大，管子(zi)的跨导愈高。

四、注意事项

（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多(duo)数(shu)产品属于(yu)N沟道管。关于(yu)P沟道管，测量时应交流表笔的位置。

（2）有(you)(you)少数VMOS管在G-S之间并有(you)(you)维护(hu)二极(ji)管，本检测办(ban)法(fa)中(zhong)的1、2项不(bu)再适(shi)用(yong)。

（3）目前市(shi)场上还有(you)一种VMOS管(guan)功率模(mo)块(kuai)，专供交流(liu)电机调速器、逆(ni)变器运(yun)用。例如美国IR公司消费的IRFT001型模(mo)块(kuai)，内部(bu)有(you)N沟(gou)(gou)道、P沟(gou)(gou)道管(guan)各(ge)三只(zhi)，构(gou)成三相桥(qiao)式构(gou)造。

（4）如今市售VNF系列（N沟(gou)道）产品，是(shi)美(mei)国Supertex公(gong)司消(xiao)费的超高(gao)(gao)频功率(lv)(lv)场(chang)效应管，其最(zui)高(gao)(gao)工作频率(lv)(lv)fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共(gong)源小信号(hao)低频跨导gm=2000μS。适(shi)用(yong)于高(gao)(gao)速开关电路和(he)播送、通(tong)讯设备中。

（5）运用VMOS管(guan)时必需加(jia)适宜的散热器后(hou)。以VNF306为例，该管(guan)子加(jia)装140×140×4（mm）的散热器后(hou)，最大功(gong)率(lv)才能达到30W。

（6）多管并联后，由于极(ji)间电(dian)容和散(san)布电(dian)容相应(ying)增加，使放(fang)大器(qi)的高频特性变坏(huai)，经过反应(ying)容易惹起放(fang)大器(qi)的高频寄生(sheng)振荡(dang)。为此，并联复合管管子普通不超(chao)越(yue)4个，而(er)且在每(mei)管基极(ji)或栅极(ji)上串接防寄生(sheng)振荡(dang)电(dian)阻。

五、怎样(yang)识(shi)别场效(xiao)应管(guan)

场效应管的文字符(fu)号为“VT”，图形符(fu)号如图4-22所(suo)示。

场效应管(guan)(guan)一般具有(you)3个引(yin)脚，分别是栅(zha)极(ji)G、源(yuan)极(ji)S和(he)漏极(ji)D，它们的(de)(de)功能(neng)分别对(dui)应于双极(ji)型晶体管(guan)(guan)的(de)(de)基极(ji)b、发射极(ji)e和(he)集电极(ji)c。由(you)于场效应管(guan)(guan)的(de)(de)源(yuan)极(ji)s和(he)漏极(ji)D是对(dui)称(cheng)的(de)(de)，实际使(shi)用中(zhong)可以互换。双栅(zha)极(ji)场效应管(guan)(guan)具有(you)4个引(yin)脚，分别是栅(zha)极(ji)G1和(he)G2、源(yuan)极(ji)s和(he)漏极(ji)D。常用场效应管(guan)(guan)的(de)(de)引(yin)脚如图(tu)4-23所示，使(shi)用中(zhong)应注意(yi)识别。

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