MOS管扫盲文-告诉你N沟道和P沟道简单的判断方法与作用

MOS管N沟道和P沟道详解

MOS管(guan)N沟道：

在看MOS管N沟(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)和(he)P沟(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)判断(duan)方法之(zhi)前，先简单的(de)了(le)解一下MOS管N沟(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)和(he)P沟(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)。由p型(xing)衬底和(he)两个高浓度n扩(kuo)(kuo)散(san)区构成的(de)MOS管叫作(zuo)n沟(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)MOS管，该管导(dao)通时在两个高浓度n扩(kuo)(kuo)散(san)区间形(xing)成n型(xing)导(dao)电沟(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)。n沟(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)增(zeng)强型(xing)MOS管必须在栅极上施加正向偏压(ya)，且(qie)只有(you)栅源电压(ya)大于阈值电压(ya)时才有(you)导(dao)电沟(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)产生的(de)n沟(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)MOS管。n沟(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)耗尽型(xing)MOS管是指在不加栅压(ya)（栅源电压(ya)为零）时，就有(you)导(dao)电沟(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)产生的(de)n沟(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)MOS管。

N沟(gou)道(dao)MOS管(guan)集(ji)(ji)成电(dian)路(lu)是N沟(gou)道(dao)MOS电(dian)路(lu)，NMOS集(ji)(ji)成电(dian)路(lu)的输(shu)入阻抗很(hen)高(gao)，基本上不(bu)(bu)需要吸收电(dian)流，因(yin)此，CMOS与NMOS集(ji)(ji)成电(dian)路(lu)连(lian)接(jie)(jie)(jie)时不(bu)(bu)必考虑(lv)电(dian)流的负载问题。NMOS集(ji)(ji)成电(dian)路(lu)大(da)多采用(yong)单组(zu)正(zheng)电(dian)源供电(dian)，并且以(yi)5V为多。CMOS集(ji)(ji)成电(dian)路(lu)只要选(xuan)用(yong)与NMOS集(ji)(ji)成电(dian)路(lu)相同(tong)的电(dian)源，就可与NMOS集(ji)(ji)成电(dian)路(lu)直接(jie)(jie)(jie)连(lian)接(jie)(jie)(jie)。不(bu)(bu)过(guo)，从NMOS到CMOS直接(jie)(jie)(jie)连(lian)接(jie)(jie)(jie)时，由于(yu)NMOS输(shu)出的高(gao)电(dian)平低于(yu)CMOS集(ji)(ji)成电(dian)路(lu)的输(shu)入高(gao)电(dian)平，因(yin)而需要使用(yong)一(yi)个（电(dian)位）上拉电(dian)阻R，R的取(qu)值一(yi)般选(xuan)用(yong)2～100KΩ。

MOS管P沟道

金属氧化物半导体(ti)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)(MOS)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)管可分为(wei)N沟(gou)道(dao)(dao)与P沟(gou)道(dao)(dao)两(liang)大类，P沟(gou)道(dao)(dao)硅(gui)MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)管在(zai)N型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)硅(gui)衬底上有(you)两(liang)个P+区，分别叫做源(yuan)极(ji)(ji)和(he)漏极(ji)(ji)，两(liang)极(ji)(ji)之间不通导，柵(zha)极(ji)(ji)上加(jia)有(you)足够的(de)(de)(de)正电(dian)压(源(yuan)极(ji)(ji)接(jie)地)时，柵(zha)极(ji)(ji)下的(de)(de)(de)N型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)硅(gui)表面呈(cheng)现P型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)反(fan)型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)层(ceng)，成为(wei)连接(jie)源(yuan)极(ji)(ji)和(he)漏极(ji)(ji)的(de)(de)(de)沟(gou)道(dao)(dao)。改变栅(zha)压可以改变沟(gou)道(dao)(dao)中的(de)(de)(de)电(dian)子(zi)密度，从而改变沟(gou)道(dao)(dao)的(de)(de)(de)电(dian)阻。这种MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)管称(cheng)为(wei)P沟(gou)道(dao)(dao)增(zeng)强型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)管。如果(guo)N型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)硅(gui)衬底表面不加(jia)栅(zha)压就已存(cun)在(zai)P型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)反(fan)型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)层(ceng)沟(gou)道(dao)(dao)，加(jia)上适当的(de)(de)(de)偏(pian)压，可使沟(gou)道(dao)(dao)的(de)(de)(de)电(dian)阻增(zeng)大或减(jian)小。这样的(de)(de)(de)MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)管称(cheng)为(wei)P沟(gou)道(dao)(dao)耗尽型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)管。统称(cheng)为(wei)P沟(gou)道(dao)(dao)MOS管晶(jing)(jing)(jing)体(ti)管。

P沟(gou)道(dao)(dao)MOS晶体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)空(kong)穴迁(qian)移率低,因而在MOS晶体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)几何(he)尺寸和工作电(dian)压绝对(dui)(dui)值相等的(de)情况下，PMOS晶体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)跨导小(xiao)于N沟(gou)道(dao)(dao)MOS晶体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)。此外，P沟(gou)道(dao)(dao)MOS晶体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)阈值电(dian)压的(de)绝对(dui)(dui)值一(yi)般(ban)偏(pian)高，要(yao)求(qiu)有较高的(de)工作电(dian)压。它的(de)供(gong)电(dian)电(dian)源的(de)电(dian)压大小(xiao)和极性,与双(shuang)极型晶体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)——晶体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)逻辑电(dian)路不兼容。

PMOS因逻辑摆(bai)幅大，充(chong)电(dian)(dian)放电(dian)(dian)过(guo)程长，加之(zhi)器件跨(kua)导小，所以工作速度更(geng)低，在NMOS电(dian)(dian)路(lu)(lu)(见(jian)N沟道金(jin)属—氧(yang)化物—半导体集成电(dian)(dian)路(lu)(lu))出现之(zhi)后，多数(shu)已(yi)为NMOS电(dian)(dian)路(lu)(lu)所取(qu)代。只是,因PMOS电(dian)(dian)路(lu)(lu)工艺(yi)简单,价格便宜，有些(xie)中规模(mo)和小规模(mo)数(shu)字(zi)控(kong)制电(dian)(dian)路(lu)(lu)仍采用PMOS电(dian)(dian)路(lu)(lu)技术。

PMOS集(ji)成电(dian)路(lu)(lu)是一种(zhong)适合在低速、低频领域内应用(yong)的(de)(de)器件(jian)。PMOS集(ji)成电(dian)路(lu)(lu)采(cai)用(yong)-24V电(dian)压供(gong)电(dian)。如(ru)图5所示(shi)的(de)(de)CMOS-PMOS接口电(dian)路(lu)(lu)采(cai)用(yong)两种(zhong)电(dian)源供(gong)电(dian)。采(cai)用(yong)直接接口方式，一般CMOS的(de)(de)电(dian)源电(dian)压选择(ze)在10～12V就能满足PMOS对输入电(dian)平的(de)(de)要求。

MOS管N沟道和P沟道判断方法

MOS管N沟道和P沟道判断方法详解如下：

1、MOS的三个极怎么判定：

MOS管符号上的三个脚(jiao)的辨(bian)认要抓住关(guan)键地方(fang)。

G极，不用(yong)说比较好认。

S极，不论是(shi)P沟道(dao)还是(shi)N沟道(dao)，两根线(xian)相交的(de)就是(shi);

D极，不(bu)论是P沟道还(hai)是N沟道，是单(dan)独引(yin)线(xian)的那边。

2、他们是N沟道还是P沟道?

三个(ge)脚的(de)极性判断(duan)(duan)完(wan)后，接(jie)下就(jiu)该(gai)判断(duan)(duan)是P沟道(dao)还是N沟道(dao)了：

当然也可(ke)以先(xian)判断沟道类(lei)型，再(zai)判断三个脚极性。

先判断是什(shen)么沟道，再(zai)判断三个脚极性。

3、寄生二极管的方向如何判定?

接下来，是寄生二极管的方向判断：

它的判断规则就是：

N沟道，由S极(ji)指(zhi)向D极(ji);

P沟道，由D极指向S极。

4、简单的判断方法

上面方法不太(tai)好(hao)记，一(yi)个简单的识别(bie)方法是：(想像DS边的三节断续线是连通的)

不论N沟道(dao)还是(shi)P沟道(dao)MOS管，中间衬(chen)底箭(jian)头(tou)方向(xiang)和(he)寄生(sheng)二极管的箭(jian)头(tou)方向(xiang)总是(shi)一致(zhi)的：

要(yao)(yao)么(me)都(dou)(dou)由(you)S指向(xiang)(xiang)D，要(yao)(yao)么(me)都(dou)(dou)由(you)D指向(xiang)(xiang)S。

5、它能干吗用呢?

在(zai)我们天天面(mian)对的笔记本(ben)主板上，MOS管有两大作用：

开关作用(1):PQ27控(kong)制脚为(wei)低电平

开(kai)关作用(2):PQ27控制(zhi)脚为高电平(ping)，以(yi)上(shang)MOS开(kai)关实现的是信号切换(huan)(高低电平(ping)切换(huan))。

联系方式：邹先生

联系电话：0755-83888366-8022

手(shou)机：18123972950

QQ：2880195519

联(lian)系地(di)址：深圳市福田区车公(gong)庙天安数码城天吉(ji)大厦(sha)CD座5C1

请搜微信(xin)公众号:“KIA半导体”或扫(sao)一扫(sao)下(xia)图“关注”官方微信(xin)公众号

请(qing)“关注”官方微(wei)信公众(zhong)号:提供  MOS管(guan)  技术帮助